2016基效率衰减问题研究报告.pptVIP

GaN基LED效率衰减问题研究报告 概要 1. LED发展趋势 2. LED效率衰减的原因 3. LED效率衰减的解决途径 4. 我们可以开展的工作 5. 结论 LED发展趋势 作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度；低热量；长寿命；可回收利用的优点，被称为21世纪最有发展前景的绿色照明光源。Ⅲ-Ⅴ族GaN基LED因发光波长涵盖了整个可见光波段，而备受关注。随着现有LED制造技术的成熟，LED向高亮度；大功率；低损耗方向发展，这就要求LED有大的注入电流，但GaN基LED随着注入电流的增加效率衰减是制约其发展的一个重要原因。更重要的是，对于其效率衰减的原因还没有一个明确的解释。 LED效率衰减原因 LED效率的衰减主要有两种情况，一：量子井中电子空穴复合但并未产生光子，即所谓的非辐射复合。二：电子空穴注入浓度不一，电子越过量子井而产生漏电流。上述两种情况都可导致LED效率的衰减，但是导致这两种情况发生的原因却有很多不同的说法。目前，主流说法包括俄歇复合1；极化效应2,3,4；位错密度5；大的空穴质量和低注入6,7,8（载流子均匀性）。 俄歇复合 俄歇复合：半导体中，载流子从高能级到低能级的跃迁，电子和空穴复合时把能量通过碰撞而转移给另一个电子或另一个空穴的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合。这种复合不同于带间直接复合，也不同于通过复合中心的间接复合，俄歇复合是电子