F-1薄膜物理与技术第二部分第一章1.pptVIP

第二部分 薄膜物理与技术 前言： 薄膜物理与技术在高科技领域和国民经济建设等领 域的重要性 *与材料、能源、信息等领域息息相关 薄膜分类： ?超薄膜 ～10nm ?单晶薄膜 ?二维纳米薄膜 100nm ?多晶薄膜 ?薄膜 几um ?非晶薄膜/微晶 ?超厚膜 10～100um ?纳米晶薄膜 ? 材料： 超导薄膜 超硬薄膜金属层（TiN、CNx、金刚石、类金刚石…） 抗腐蚀耐磨损镀层(金刚石，CNX, SiCN …） 光学元件（光栅，汽车玻璃）镀层、红外窗口材料… 各种功能薄膜材料、纳米材料（ZnO, TiO2, CNTs…） ?能源： 晶体太阳能电池减反射层、电极 　薄膜太阳能电池（a-Si电池，多层多结太阳能电池） 　太阳能热水器 ZnO纳米螺杆 光致发光谱 ZnO纳米同轴电缆TEM图象及电子衍射图 纳米同轴电缆的场发射特性曲线 薄膜生长基础 薄膜科学的研究内容： 薄膜生长理论和薄膜制备技术； 薄膜的结构、成分和微观状态； 薄膜的宏观特性及其应用。 第一章　薄膜的制备方法 三大类：物理制膜法 　　　　物理化学法 　　　　化学生长法 一、物理制膜法 　1.真空蒸发法： ?电阻加热法（高真空） 　　　　　　　　?电子束蒸发法 　　　　　　　　?脉冲激光蒸发法 (PLD) 　　　　　　　　?分子束外延 (MBE) 2.离子镀： 　?直流法 　　　　　 　?射频法 　　　　　 　?离化团簇粒子束法(ICBD) 　　　　　 　?热阴极法 3. 离子束法：?离子束辅助沉积 　　　　　　 ?离子束混合 　　　　　　 ?离子束溅射 4.离子溅射法： ?直流二极溅射 　　　　　　　 ?射频溅射　 　　　　　　　 ?磁控溅射 　　　　　　　 ?离子束溅射 二. 物理化学法 　　 ? CVD(热分解、热丝法等) ?PECVD： ? RFCVD ? MWCVD ?ECRCVD ? MOCVD 三.化学生长法 　　 ?溶胶－凝胶法 　　 ?水热法（水化学法） 　　 ?电化学法 　　　 残留气体对薄膜生长的影响 §1.真空蒸发法 1.真空的必要性 (1)在真空下，汽化温度低得多 (2)汽化的膜料原子顺利到达衬底 (3)保证薄膜质量 2.真空度的确定 　原则：保证质量要求，兼顾工作效率与成本 　(1)从平均自由程的要求看： 　 （1）高真空蒸发系统 （2）各种蒸发源 （3）特点： ?设备简单、操作方便、造价低 ?成膜速率快、效率高 ?膜厚便于控制 （4）缺点： ?只能用于蒸发熔点不很高的膜料 ?不能长时间连续蒸发 ?蒸发源寿命短 ?蒸发源会影响膜的纯度 （5）蒸发原子与分子的形态： ?大部分碱金属、贵金属、过渡性金属—单原子逸出 ?蒸发半导体、半金属时，多以2个或2个以上原子集合体逸出（Sb、As、P） ?有的化合物会分解 (CdS：Cd，S， ， … ) ?某些合金膜会偏离原组分 真空蒸发工业设备 二、电子束蒸发法 1.实验装置图 2.特点： ?可蒸发高熔点材料薄膜(3000℃) ?可用于连续生产 ?只局部膜料受高温蒸发，坩埚沾污膜料、纯度高 3.缺点： ?造价较高，操作稍复杂 ?部分残余气体被电离，影响膜结构 ?部分化合物会分解 三、激光蒸发法 1.实验设备图 脉冲激光沉积： 2.特点： （1）化合物蒸发不分馏 （2）可合成化合物 （3）可蒸发高熔点膜料，不沾污 （4）不存在电子束蒸发时可能的膜表面带电 （5）可得到结晶良好的薄膜 3.缺点： 靶要烧制良好、致密，防止蒸发出颗粒 四.分子束外延（MBE） 1.何谓分子束外延 ?超高真空条件下 ?各组分材料及掺杂物分别加热 ?按一定比例分子束喷射 ?在基片上外延生长单晶薄膜 2.分子束外延生长设备 3.分子束外延设备主要组成部分 （1）超高真空样品室 （