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第 2 章 开关电源常用元器件 2.1 电力二极管 基本结构： 2.1.1 电力二极管的工作原理 工作原理： 单向导电性 电导调制效应： 维持导通时低阻状态 电容效应： 影响工作频率 2.1.2 电力二极管的基本特性 （1） 静态特性 (2) 动态特性 2.1.3 电力二极管的主要参数 1. 正向平均电流IF(AV)　 2. 正向压降UF 3. 反向重复峰值电压URRM 4. 最高工作结温TJM 5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM 2.1.4 电力二极管的主要类型 1.普通二极管 整流 ；trr较长（5ms以上）；正向电流数kA和反向电压数kV 2．快恢复二极管 trr为5ms以下；快速恢复（数百ns）和超快速恢复（l00ns以下），正向压降很低(0.9V)，反向耐压在1200V以下 3．肖特基二极管 trr很短(10～40ns)；正向恢复过程中无明显的电压过冲；在反向耐压较低时（200V以下），正向压降低于快恢复二极管。反向漏电流较大。 2.2 电力晶体管 2.2.1. GTR的结构和工作原理 2.2.2. GTR的基本特性 (1)静态特性－共发射极接法时输出特性 在一定的IB下，UCE与IC的关系特性，有放大、饱和与截止三种工作状态。 开关状态－工作在截止区或饱和区 (2)动态特性 2.2.3 GTR的主要参数 除电流放大倍数b、直流电流增益hFE、集电极与发射极间漏电流Iceo、集电极和发射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff以外，主要关心的参数： 最高工作电压：比BUceo低得多（击穿电压BUceo ：基极开路时集电极和发射极间） 集电极最大允许电流IcM ：规定直流电流放大系数hFE下降到规定值的1/2~1/3时，所对应的IC为集电极最大允许电流。使用时要留有较大裕量，只用到IcM的一半或稍多一点。 集电极最大耗散功率PcM ：最高工作温度下允许的耗散功率 2.2.4．GTR的二次击穿现象与安全工作区 UCE升高至击穿电压时，IC迅速增大，出现雪崩击穿，之后，只要Ic不超过与PcM相对应的限度，GTR不会损坏，工作特性基本不变。 如不有效地限制电流，Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿。 二次击穿常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变，对GTR危害极大。 安全工作区 二次击穿临界线：不同基极电流下二次击穿临界点的连线 最高电压UceM、集电极最大电流IcM和最大耗散功率PcM，二次击穿临界线PSB构成正向偏置安全工作区(SOA) 为了使晶体管截止而不被击穿，电压与电流的工作点必须选在反向安全工作区之内。反向偏置基极电流不同时，反向安全工作区宽窄也不同，若反向偏置基极电流增加时，反向安全工作区变窄。 2.3 电力场效应晶体管 N沟道增强型 用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小 开关速度快，工作频率高，频率为100kHz以上 热稳定性优于GTR 电流容量小，耐压低（1000V/50A） 2.3.1 结构和工作原理: 2.3.2 基本特性 （1） 静态特性 转移特性 输出特性 开关状态：截止区、非饱和区 通态电阻 ：正温度系数 UGS10V （2）动态特性 开通时间ton= td(on) + tr 关断时间toff =td(off) + tf 受输入电容的影响 与驱动电路的阻抗有关 开关时间：10~100ns，频率100kHz以上。 需一定的驱动功率 2.3.3 电力MOSFET的主要参数 漏极电压UDS ：电压定额。最高工作电压。 漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM：电流定额。 栅源电压UGS：-20V〈UGS〈+20V，注意静电 极间电容：影响开关特性 安全工作区：漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率构成的区域。 2.4 绝缘栅双极晶体管 IGBT：80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件，它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和GTR的低通态压降、高电流密度的特性，发展十分迅速。 IGBT的容量：(1200～1600A)/(1800～3330V) 工作频率：40kHz以上 2.4.1 结构和工作原理 电力MOSFET的漏极侧加一层P型半导体 栅极、集电极、发射极 2.4.2 IGBT的基本特性 1)? 静态特性 转移特性：集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系 输出特性 开关状态：正向阻断区（关断）、饱和区（导通） UCE0时，为关断状态 2)