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第二章双极型晶体管的直流特性 晶体管分类： 结型晶体管 又称双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor-BJT ） 场效应晶体管 (Field Effect Transistor-FET) 又称单极型晶体管(Unipolar Devices) 两者复合 如绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 主要内容 讨论双极型型晶体管的直流特性，内容包括： §2.1 基本结构和杂质分布 §2.2 放大机理 §2.3 直流特性及电流增益 §2.4 反向电流及击穿电压 §2.5 直流特性曲线 §2.6 基极电阻 §2.7 等效电路模型－Ebers-Moll模型 双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度应远小于少子扩散长度。 §2.3 晶体管的直流I-V特性及电流增益 一、均匀基区晶体管（以npn管为例） (一)晶体管内少数载流子浓度分布函数 (二)电流密度分布函数 (二)电流密度分布函数 （三）直流电流—电压基本方程 （四）均匀基区晶体管的直流电流