- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
98-5-5 工大电信 第四讲(2) 光电检测器Optoelectronic detector 第五节 光电检测器及光接收机 5.1光电二极管的检测原理 PN结型光电二极管的工作原理 PN结型光电二极管的工作原理 5.2 PIN 光电二极管 PIN光电二极管 5.2 PIN 光电二极管 5.3 雪崩型光电二极管 ( APD管) 5.4 光电二极管工作特性和参数 5.4光电二极管工作特性和参数 例:某硅雪崩管在0.9um波长上量子效率为80%,当入射功率为0.5uw时,它输出电流有11uA,求此时该器件的倍增因子G。 解: R= ηλ/1.24 =0.581A/W Ip = RPo =0.291uA G= Io/Ip =37.8 倍增因子为37.8 NOYES 可见光源 产品名称: 可见光源 型 号: VFI1 生产厂家: NOYES(罗意斯) 产 地: 美国 适用范围: 邮电工程与维护 CATV 工程与维护 综合布线系统 其它光纤工程 技术指标 VFI1是一种使用简单方便的便携式仪表,它使用安全的激光器, 可用来对光纤,光缆,接头和连接器进行肉眼可见的测试.在OTDR无 法测试的盲区以及快速检查调整连接器和跳线端头时。当被测光纤 有一断点时,肉眼即可直接定位故障。 技术指标 性能指标: 光输出: 670nm激光器 功率1.0mW 占空比50 %的2kHz方波 电 源: 9V叠层电池或交流电源 连接器: FC型,其它型号可选. 范 围: 5 Km左右 规格及操作环境 重量: 454g 体积: 115×68×25mm 操作温度: 0 -- +50℃ 储存温度: -20 -- +50℃ 电 源: 9V叠层电池 (约10小时) 例:一只量子效率η为65%的光电二极管,当入射其上的光子能量为1.5*10-19焦耳时:求:1.它在什么波长上运用? 2.若要得到2.5uA的光电流,应入射多大的光功率? 解: λ=hc/E=1.32um 波长应小于1.32um R= ηλ/1.24 P0=I0/R=3.6uw 需3.6uw的光功率 思考题 1. 计算一个波长为λ=1 μm的光子能量, 分别对1 MHz和100 MHz的无线电波做同样的计算。 2. 什么是粒子数反转分布? 什么情况下能实现光放大? 3. 什么是激光器的阈值条件? 4. 由表达式E=hc/λ说明为什么LED的FWHM功率谱宽在长波长中会变得更宽些。 5. 一个GaAs PIN光电二极管平均每三个入射光子产生一个电子-空穴对。 假设所有的电子都被收集, 那么 (1) 试计算该器件的量子效率; (2) 当在0.8 μm波段、 接收功率是10-7 W时, 计算平均输出光电流; (3) 计算波长, 当这个光电二极管超过此波长时将停止工作, 即长波长截止点λc。 6. 什么是雪崩增益效应? 7. 设PIN光电二极管的量子效率为80%, 计算在1.3 μm和1.55 μm波长时的响应度, 说明为什么在1.55 μm处光电二极管比较灵敏。 * 光源是光发射机的核心器件,作用 E ? O 转换 光检测器是光接收机的核心器件,作用 O ? E 转换 光检测器就是光电二极管 PN结型光电二极管 PD管; PIN结型光电二极管 PIN管; 雪崩型光电二极管 APD管。 研究光接收的主要问题是: 1. 灵敏度 ? 2. 噪声 ? 光子 A K R V 真空光电管中的光电效应外电场作用下形成光生电流 光电效应 optoelectronic effect 由于吸收光子能量引起的材料电特性的改变。在材料中释放电子和其它电荷载流子的现象。 在真空光电二极管中,其阴极就是利用光电发射材料制成。 当能量为hf的光子照射其阴极,若阴极表面材料吸收的光子能量大于其逸出功,则从阴极表面就有电子发射出来,发射出来的电子在外电压场的作用下射向阳极,形成光生电流。 在半导体光电检测器件中,为了使电子和空穴分离,通常采用PN结面附近区域产生空间电荷区,形成自建电场,如图所示。当PN结型半导体紧密接触后,P型区的空穴和N型区的电子分别向N型区和P型区扩散,因而在两个区的接触面两侧形成了不存在载流子电子和空穴的区域,这个区域就叫耗尽层。 光照射到半导体的PN结上,若光子
您可能关注的文档
最近下载
- 【国家标准】AQ 2030-2010 尾矿库安全监测技术规范.pdf VIP
- 《志愿消防队建设规程》.docx VIP
- 2025年部编版道德与法治五年级上册全册单元复习课教案(含期末复习计划).pdf VIP
- 2024年河南科技大学马克思主义基本原理概论期末考试题推荐.docx VIP
- 2025年英维克分析报告:温控系统龙头,AI算力服务器液冷构筑新增长极.pdf
- 心血管内科主任年度工作报告PPT.pptx VIP
- 高血压针灸课件.pptx VIP
- AQ _2030-2010 尾矿库安全监测技术规范.pdf VIP
- 2024-2025学年深圳市龙华区5上期末语文试卷.docx
- 训练伤的防治课件.pptx
原创力文档


文档评论(0)