第八章-功率器件-06.pptVIP

饱和区 恒电流区 随着VD增大到一定值以后，水平沟道出现夹断，漏极电流达到最大值Idmax，并基本保持不变。 器件的跨导 gm，源漏电流随栅电压的变化率。 增大跨导可以在低栅电压下获得高的电流驱动能力。 开态电阻 Ron 功率MOSFET的重要参数，描述了器件的电流驱动能力。 Ron＝Rn＋＋RCH＋RA＋RJ＋RD＋RS 源n＋区 P基区之间的扩散区 漂移区电阻 衬底电阻 沟道电阻 积累层电阻 截止区 当VGVT时，栅压不足以在半导体的表面形成反型沟道。 ID＝0 UMOSFET 具有较高的沟道密度（有源区沟道宽度/cm2),使得器件开态电阻减少。 极限参数 最大源漏电流 IDmax 决定IDmax的主要因素是器件的宽度。通常通过特殊的结构单元设计，以增加单位管芯面积的沟道宽度。 最大输出功率PDmax 同时还受热损耗的限制。 Pdmax=(1/2) Idmax(Vdmax-Vdmin) 由最大允许漏极电流、最大允许源漏电压和电流为最大允许漏极电流时的最小源漏电压所决定 击穿电压 防止寄生n＋pn引起的穿通击穿 合理设计基区宽度 合理设计扩散杂质分布 可能发生－源漏击穿或栅击穿 安全工作区 MOSFET的I－V平面内的一个区域，在该范围内运行器件是安全的。在不同的偏置条件下的影响因素不同。 在低漏压时，最大漏极电流是主要的因素。 在中等漏压下，最大允许耗散功耗是主要的