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第九讲——金属半导体场效应晶体管（FET）-概述 ? 器件结构及作用 概念和结构 一般结构 作用的基础；器件类型 输出特性 渐变沟道近似 速度饱和 速度饱和问题 速度饱和的特性 小信号等效模型 高频性能 ? 制造工艺 加工难题： （异质结构对我们生活有益的地方） 1，半绝缘衬底；2，金属半导体场势垒栅；3，阈值控制；4，栅电阻； 5，内阻和漏电阻 典型结果 1，外延层台式晶体管；2，质子隔离；3，n+/n 外延层和凹陷；4， 向 SI-GaAs 中的直接注入 BJT/FET 比较 BJT/FET 比较（续） 那好，但是在势垒的控制上有更多的不同  BJT FET 载流子 基极中的少数载流子 沟道中的多数载流子 流动机理 势垒控制 基极中的扩散 与基极直接接触 沟道中的漂移 门电路元件导致的改变 电流的机理，少数载流子扩散和多数载流子漂移，可能是最重要的不同。 FET 机理——金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET ）/ 金属半导体场效应晶体管（MESFET） 结型场效应晶体管（JFET ） 对栅源结施加反向偏压会增加栅极耗尽层宽度，并限制源极和漏极之间的 n 型导带。 JFET （续） 工作区： a，夹断以下的线性区 VP VGS0,VDS 小 b，接近夹断的线性区 VP