浙江理工大學模电试题及答案.docVIP

浙江理工大学2011—2012学年第 二 学期 《 模拟电子技术 》期末试卷（A）卷 本人郑重承诺：本人已阅读并且透彻地理解《浙江理工大学考场规则》，愿意在考试中自觉遵守这些规定，保证按规定的程序和要求参加考试，如有违反，自愿按《浙江理工大学学生违纪处分规定》有关条款接受处理。 承诺人签名： 学号： 班级： 一、判断题，对打“√”，错打“×”。（每题2分，共10分） （1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）整流电路的作用是将直流电转换成交流电。（ ） （3）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输出电阻会明显变小。（ ） （4）发射机通过一条长的同轴电缆输送到天线。发射机输出功率为1kW，但只有500W到达天线，则电缆衰减为-3dB。（ ） （5）电压放大器和小信号放大器也有功率增益。（ ） 二、单项选择题（每题2分，共20分） （1）本征半导体载流子浓度与那个因素无关。（ ） A. 半导体材料 B. 掺杂浓度 C. 禁带宽度 D.温度 （2）下面关于肖特基二极管的特点描述正确的是（ ） A. 正向偏置存储电荷多