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模拟电子线路 石松 主讲 第一章 常用半导体器件 1.1半导体基础知识 1.1.1本征半导体 一、半导体材料的一些物理特性 1.对温度的反应 半导体的电阻率随温度的上升迅速下降。 金属导体的电阻率随温度的上升略有增加。 2.杂质的影响 半导体在常温下的电阻率较高，若掺上极微量的杂质，电阻率则显著下降。 3.光的影响 在光的照射下，半导体的电阻率会显著下降。 二、本征半导体 纯净的、没有结构缺陷的半导体晶体 叫本征半导体。 特点： 1.原子间通过共价键构成晶格，电子束缚 在晶格中 2.导电能力很差 ＊硅和锗都是4价元素。　　　　　　　　图1.1.1 本征半导体结构示意图 三、本征半导体中的两种载流子 1.本征激发 本征半导体的价电子获得足够能量 挣脱共价键的束缚，而成为自由电子的现 象叫本征激发。 2.自由电子 不受晶格的束缚，可以在晶格间自由 移动的电子。　　　　　　　　　　　　　　图1.1.2 本征半导体中的自 3.空穴　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　由电子和空穴 价电子离开共价键后留下的空位叫做空穴。 空穴带正电荷，在电场作用下，它可以在晶格间定向移动，方向正好与自由电子的移动方向相反。 ＊空穴的移动实际上是能量较低的自由电子移动的结果。 ＊只有能自由移动的带电粒子才能导电。 四、本征半导体中载流子的浓度 本征激发产生的自由电子和空穴是成双成对的，因此在本征半导体中，自由电子和空穴的浓度相等。 相同温度下，本征锗中的载流子浓度远大于本征硅中的载流子浓度。 ＊自由电子浓度记作，空穴浓度记作，在本征半导体中，有。 1.1.2杂质半导体 一、N型半导体 在纯净半导体中掺入极微量的五价元素 （如磷）后，半导体中的自由电子浓度远 大于空穴浓度。 施主杂质：除形成共价键所需的电子外，还 能额外提供游离电子的杂质。 施主正离子：施主杂质失去游离电子成为 施主正离子。　　　　　　　　　　　　　　　　图1.1.3 N型半导体 多数载流子（多子）：掺杂半导体中高浓度的导电载流子。 少数载流子（少子）：掺杂半导体中低浓度的导电载流子。 ＊在相同温度下，掺杂后的两种载流子浓度的乘积等于本征半导体中载流子浓度的乘积。即。 二、P型半导体 在纯净半导体中掺入极微量的三价元素 （如硼）后，半导体中的空穴浓度远大于自 由电子浓度。 受主杂质：极易获得电子形成共价键的杂质。 受主负离子：受主杂质获得电子，因带负电而 成为受主负离子。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图1.1.4 P型半导体 1.1.3 PN结 一、半导体内的导电过程 1.漂移电流 在电场作用下，自由电子和空穴发生定向漂移运动而形成漂移电流。漂移电流分为自由电子电流和空穴电流两种，其和为总漂移电流。 2.扩散电流 半导体载流子（自由电子或空穴）的浓度若分布不匀，则产生浓度差，这将导致载流子从浓度高的区域向浓度低的区域扩散而形成扩散电流。 二、PN结的形成 将半导体材料的一半制成Ｎ型，一半制成Ｐ型，则Ｎ型半导体和Ｐ型半导体的交界处就会形成PN结。 (a)P区与N区中载流子的运动 (b)平衡状态下的PN结 图1.1.5 PN结的形成 PN结的形成过程： 1.将Ｎ型半导体与Ｐ型半导体连接在一起时，由于交界处两侧的载流子浓度相差悬殊，于是Ｎ区中的多子自由电子向Ｐ区扩散，Ｐ区中的多子空穴向Ｎ区扩散。载流子的扩散运动形成扩散电流。 2.原来Ｐ型和Ｎ型半导体是电中性的，由于扩散作用，使得Ｐ型半导体靠近交界处的地方因失去空穴而带负电，Ｎ型半导体靠近交界处的地方因失去自由电子而带正电，因而交界处形成空间电荷区，产生内建电场。 3.在内建电场的作用下，Ｐ区中的少子自由电子向Ｎ区漂移，Ｎ区中的少子空穴向Ｐ区漂移，形成与扩散电流方向相反的漂移电流。 4. 随着内建电场的增强，扩散电流进一步减小，漂移电流进一步增大，最后，当扩散电流等于漂移电流时，ＰＮ结处的电流达到动态平衡，ＰＮ结处的总电流为０。 ＊ＰＮ结由带电的不能自由移动的离子构成，由于这个地方没有载流子，或者说载流子已经耗尽，所以ＰＮ结区又称为耗尽区（耗尽层）。 ＊由于ＰＮ结区的内建电场对载流子的扩散具有阻碍作用，所以ＰＮ结区又叫势垒区或阻挡层。 ＊耗尽层的电阻较大，外加电压主要落在这个区。 三、PN结的单向导电性 1.PN结外加正向电压（正向偏置） 外加电压降低了ＰＮ结势垒高 度，使得扩散作用增强，漂移作用 减弱，从而造成正向扩散电流大于 反向漂移电流，ＰＮ结正向导通。 由于扩散作用的载流子是多 子，因而扩散电流可以很大。 图1.1.6 PN结加正向电压时导通 2.PN结外加反向电压（反向偏置） 增加ＰＮ结势垒高度，扩散 作用被抑制，漂移作用占主导地 位。由于漂移电流的载流子是少 子，所