集成电路版图设计基础第1章版图设计基础.ppt

school of phye basics of ic layout design 集成电路版图设计基础 basics of IC layout design instructor: Wang xiaolei e-mail: wangxiaolei@hfut.edu.cn 第一章 版图设计基础 半导体物理器件基础 半导体 PN结 晶体管 基本电路 制造工艺及测试 通用版图设计流程 JFET： JFET夹断的两种情况: (1) 漏源电压变大 (2) 栅-体和背栅-体反向电压的不断增加 上述两种情况都可能引起JFET的漏源击穿。 半导体物理器件基础 - 晶体管 JFET结构图 JFET输出特性曲线 MESFET： n型III-V族化合物如GaAs制成， 实际制造是在半绝缘衬底 (semi-insulating substrate) 上生长一外延层。 命名： 0.5um x 300um (LxZ) 器件 线性区沟道电阻：R=ρL/A=L/qμnNDA=L/qμnNDZ(a-W) ND施主浓度，A电流流动的截面积，W肖特基势垒耗尽区宽度 饱和电压： Vdsat = qNDa2/2εs - Vbi - Vg 半导体物理器件基础 - 晶体管 HBT：Heterojunction Bipolar Transistor 异质结双极晶体管 在半导体异质结构中，中间层有较低的能带，因此电子很容易就由旁边的夹层注入，是故在晶体管中由射极经过基极到集极的电流，就可以大为提高，晶体管的放大倍率也为之增加；同时基极的厚度可以减小，其掺杂浓度可以增加，因而反应速率变大，所以异质结构得以制作快速晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。 HBT因具有快速、高放大倍率的优点，因而广泛应用于人造卫星通讯或是行动电话等。 HBT主要由化合物半导体或合金半导体构成，需要两种禁带宽度不同的材料分别作为发射区和基区，宽带隙材料作发射区，窄带隙材料作基区。而在DHBT(双异质结双极型晶体管)时，集电区与基区材料带隙也不相同。为更加有效地利用异质结晶体管的特性，其结构也不再是普通的平面结构，而是采用双平面结构。 半导体物理器件基础 - 晶体管 HBT：Heterojunction Bipolar Transistor 异质结双极晶体管 半导体物理器件基础 - 晶体管 加偏后NPN型GaAlAs/GaAs晶体管的能带图 NPN型GaAlAs/GaAs 晶体管的结构和 杂质剖面图 HEMT： high-electron mobility transistor 高电子迁移率晶体管： 也称调制掺杂场效应管（MODFET），又称二维电子气场效应管（2DEGFET），它是利用调制掺杂方法，在异质结界面形成的三角形势阱中的二维电子气作为沟道的场效应晶体管，简称HEMT。 HEMT也是一种异质结场效应晶体管，为MESFE的变型。此术语由富士通(Fujitsu)公司提出。 特点： 非常高的截止频率fT； 非常高的最大频率fmax； 短沟道效应较小； 噪声性能好。 半导体物理器件基础 - 晶体管 * * 半导体材料 -固态材料分类： 导体，半导体，绝缘体。 半导体物理器件基础 - 半导体 半导体材料 -固态材料分类： 导体，半导体，绝缘体。 绝缘体：介于10-18S/cm ~ 10-8S/cm,如熔融石英、玻璃 导体： 介于 104S/cm ~ 106S/cm，如铝、银等金属 半导体：介于二者之间，如Si、Ge等 超导体：大于106S/cm -半导体材料的类型： 元素(element)半导体 化合物(compound)半导体 半导体物理器件基础 - 半导体 半导体材料 -元素半导体: 第IV族元素,硅(Si)，锗(Ge)。 硅、锗都是由单一原子所组成的 元素半导体，周期表第IV族元素。