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ZnMgO纳米结构的制备及其特性研究 摘要：本文综述了ZnO纳米材料的研究现状和进展，以及ZnO纳米材料的制备方法，并介绍了掺杂ZnO纳米材料的研究进展，其中着重介绍了Mg掺杂的研究现状及进展情况，根据这些研究背景，总结出自己选题开展的目的及意义，并根据具体情况制定出科研计划等。 关键词：ZnO纳米材料；Mg掺杂；纳米材料制备方法；CVD 0.引言 近几年来，一维半导体纳米材料的制备得到了越来越多的关注，主要是因为其独特新颖的性质在纳米器件和纳米电路上的广泛应用[1-3]。目前已经制备出各种各样的纳米结构如Si、Ge、GaN、Ti02等半导体材料，并且证实了这些纳米材料在太阳能电池、光电器件等诸多领域有广泛的应用。作为一种重要的直接宽带隙半导体材料，ZnO除了具有优异的光学和电学性能外，同时还具有压电性能、气敏性能、场致发射效应、储氢性能等，是目前国际上研究最多的一种半导体材料。为了改变氧化锌（ZnO）纳米材料的能级结构，从而达到改变电磁性能和光电性能的目的，近年来在氧化锌（ZnO）纳米材料中掺入Fe，Co，Ni等磁性金属或Mg，Cu等非磁性金属成为了研究的热点[4-9]。本文主要综述了氧化锌（ZnO）纳米材料的基本性质、制备方法、掺杂现状及掺杂的纳米材料的性能、应用前景等。 1.ZnO的基本性质 ZnO在自然条件下属于六方纤锌矿结构，氧原子作六方最紧密堆积，锌原子填充1/2相邻4