半导体器件与工艺期末复习预览.doc

pn结二极管的两个基本特性①开关特性②整流特性 突变结模型近似①掺杂分布是阶跃函数。在n型和p型半导体的净掺杂浓度皆为常数。 ②杂质完全电离。即n型半导体和p型半导体的平衡电子浓度分别为：nn0=ND和pp0=NA③忽略杂质引起的带隙变窄效应。但需要考虑掺杂引起的费米能级变化，对简并态，n型半导体和p型半导体的费米能级分别处于导带底和价带顶。 pn结平衡能带图 接触后平衡态下的费米能级就是上图的EF 内建电势差在没有外接电路的情形下，扩散过程不会无限延续下去。此时会到达一种平衡，即扩散和漂移之间的动态平衡，相应产生的电势差称为接触电势差。由于是自身费米能级不同产生的，因此常称为自建势或内建势 电子和空穴的内建电势差大小区别 对于同质结，他们的大小是一样的，对于异质结不一样。 突变结电场强度与电势分布 电场分布图 大小 电势分布图 由大小求出 耗尽区及其宽度，在各自n区、p区的耗尽宽度与什么有关？ ①定义：在半导体pn结、肖特基结、异质结中，由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲，从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降，这一界面区域称为耗尽区。②宽度： ③关系： 单边突变结及其平衡时的能带图 外加正偏压、负偏压下的pn结能带图 pn结电压与外加偏压