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思考题与练习题 第一章 半导体中的电子状态 1、比较说明孤立原子中的电子、自由电子、晶体中的电子的运动状态？ 2、定性比较说明导体、绝缘体、半导体导电能力差异物理机制。 3、说明描述晶体中的电子的有效质量的物理含义，与自由电子的惯性质量有何区别，其引入有何好处？ 4、空穴的物理含义？ 5、简述半导体的导电机构，与金属比较。 6、解释等能面，简述回旋共振测量有效质量的原理 7、简述Si、Ge的能带结构特征 8、简述GaAs的能带结构特征 9、比较CdTe、HgTe的 能带结构 10、Ⅲ－Ⅴ族或Ⅱ－Ⅵ族或Ⅳ族半导体中，那些可以形成混合晶体，其能带结构随组分的变化而如何变化？这些混合晶体有何应用？ 11、晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m、107V/m的电场时，分别计算出电子从能带底运动到能带顶的时间 12、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值Ec（k）和价带极大值附近能量分别为： 第三章 半导体中载流子的统计分布思考题 1、半导体处于怎样的状态才能叫处于热平衡状态？其物理意义如何？ 一单晶硅棒，在分别受太阳光照和处于暗态时，何时是处于热平衡状态？ 一单晶硅棒，在两头温度分别为40摄氏度和80摄氏度时，该材料可以处于热平衡态吗？ 2、什么叫统计分布函数？费米分布和玻尔兹曼分布的函数形式有何区别？在怎样的条件下前者