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计算题 在没有倍增(M=1)之下，一个硅制APD对于830nm有70%的量子效率，这个APD被偏压在倍增因素为100，假如入射光功率为10nW,光电流为多少？ (已知普朗克常数h=6.626×10-34J·s ,电子电量e=1.6×10-19C) 在M=1,以量子效率表示的响应率为 假如Iph0是一次光电流（没有经过倍增），P0是入射光，那么由定义R= Iph0/ P0,所以 Iph0=R P0=（0.75 A W-1）（20×10-9W）=1.5×10-8A 在APD的光电流Iph是Iph0乘以M， Iph=MIph0=（12）（1.5×10-8A）=1.87×10-7 或者180nA 在M=12的响应率为 R′=Iph/P0=MR=(12) ×(0.75)=9.0 A W-1 计算题 半导体材料GaAs 的带隙能量在温度300K为1.42eV,已知其带隙能量随时间的变化率dEg/dT=-4.5*10-4 eV·K-1，求当温度在300K附近变化10K，用GaAs材料制作的LED的输出光波长的变化量。(已知普朗克常数h=6.626×10-34J·s ,电子电量e=1.6×10-19C) 计算题 三元合金In1-xGaxAsyP1-y，成长在InP晶体基板上是合适的商用半导体材料，可用来作为红外线波长LED及激光二极管的应用。这组件需要InGaAsP层晶格匹配于InP晶体基板