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半导体原子层的横向异质结构的合成 Xin-Quan Zhang , Chin-Hao Lin,?Yu-Wen Tseng, Kuan-Hua Huang, and Yi-Hsien Lee 材料科学与工程，国立清华大学，新竹20013，台湾， 支持信息 摘要：拥有各种形态和能带排列的过渡金属硫化物(TMDs)的原子薄层异质结构是下一代柔性纳米电子学的关键材料。单个TMD单层可以横向连接去构建平面的半导体异质结构，这是一种很难连接上脱落的薄片的费时费力的方法。能在不同的平面上生产出大量的高质量分层异质结构是非常必要的但也是一个具有挑战性的问题。这里，我们得到了一个横向异质结构的单层TMDs：MoS2?WS2 和 MoSe2?WSe2MoS2, MoSe2,WS2, 和 WSe2(Cs-corrected STEM)有可能成为表征晶体结构(APCVD)，通过半导体化的TMD原子层在多样单层表面的直接生长合成的横向异质结构MoS2?WS2 和 MoSe2?WSe2横向异质结构的原子层中获得。通过Cs-corrected STEM 和 SHG的苝四酸钾盐(PTAS) WO3，WO3粉末会充满国产石英反应器和可调长度的转移管以形成稳定的WO-3气流，使反应物从高温区蒸发和 S 或 Se 在特定的温度和距离的基板表面上反应。在低温区，在650 到 750℃范围内单个的TMD单层可以被