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本章要求： 放大的概念: 一、放大的概念 二、性能指标 1. 放大倍数：输出量与输入量之比 2. 输入电阻和输出电阻 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1.3 共发射极放大电路的电压放大作用 结论： 设置静态工作点的必要性 15.1.3 共发射极放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直流通路和交流通路 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用估算法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 15.3.1 微变等效电路法 3. 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例2: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.5 放大电路的频率特性 15. 6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.7 多级放大电路及其级间耦合方式 (1) 阻容耦合 例1: 解: 解: 解: 15.8 差分放大电路 15.8.1 静态分析 1. 零点漂移的抑制 典型差分放大电路 2. 差模信号 3. 比较输入 15.9 互补对称功率放大电路 15.9.1 对功率放大电路的基本要求 15.9.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 15.10 场效晶体管及其放大电路 15.10.1 绝缘栅场效晶体管 绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 三、场效应管放大电路的动态分析 增强型MOS管uDS对iD的影响 2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 耗尽型 3. 场效晶体管的主要参数 场效晶体管与晶体管的比较 三、场效应管放大电路的动态分析 15.10.3 场效晶体管放大电路 15.10.3 场效晶体管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效晶体管。 (1) N沟道增强型管的结构 1. 增强型绝缘栅场效晶体管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 S D uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 G S D 符号： uGsUGS（th） iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 ID/mA UDS/V 1V 2V 3V 4V o 无沟道 有沟道 UGS/V UGS(th) UDS=常数 ID/mA O 特性曲线 转移特性曲线 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 开启电压UGS(th） N型衬底 P+ P+ 符号： 结构 (2) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效晶体管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效晶体管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 (2) P 沟道耗尽型管 符号： 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 转移特性曲线 O ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) 漏极特性曲线 IDSS UGS=0 1V U DS O ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 ?1V ?2V 近似分析时可认为其为无穷大！ 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 与晶体管的等效模型类比： 1. 场效应管的交流等效模型 G S D 符号： 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半