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(2) IC=ICBO 3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态 截止状态的特点 (1) 发射结反偏 (3) IB=－ICBO 4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态 (1) 集电区扩散到基区的多子较少 倒置状态的特点 (2) 发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小 (3) 管子的电流放大系数很小 2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线 1．共射极输入特性 共射极输入特性 三极管共射极接法 uCE=0V uCE≥1V (1) 输入特性是非线性的， 有死区。 (2) 当uBE不变，uCE从零增大 时，iB将减小。 输入特性的特点 (3) 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起， 即uCE对输入特性几乎无影响。 uCE=0V uCE≥1V 2．共射极输出特性 输出特性曲线 饱和区 截止区 放大区 i B = 20 μ A 0 40 60 80 100 2 4 6 8 0 1 2 3 4 iC/ mA uCE/ V 模拟电子技术基础 2.1 晶体管 晶体管又称半导体三极管 晶体管是最重要的一种半导体器件之一，它的放大作用和开关作用，促使了电子技术的飞跃。 2 晶体管及放大电路基础 晶体管图片 2.1.1 晶体管的结构 1. NPN型晶体管结构示意图和符号 (2) 根据使用的半导体材料分为: 硅管和锗管 (