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WIRE BONDING 培训材料 张学武 2013.8.07 Wire Bonding简介 * * ● Wire Bond 的定义 是submount上的Chip与TO管座之间用Gold Wire连接的一种工艺。 ◆Wire Bond的方式 ① TCB (Thermo Compression Bonding) 利用Temp、Force、Time三种参数进行的热压着方式. ② TSB (Thermo Sonic Bonding) →现阶段一般使用的Bonding方式.即除Temp、Force、Time三个要素以外,追加超声波振动的方式.利用Ultrasonic Energy,实现高速度、高质量的 Bonding方式.焊接温度一般为180℃-250℃。 ①机电箱 ②摄像头显示屏幕 ③调机操作页面 ④WH ⑤CLAMP ⑥BUFFER ⑦MAGAZINE 1.设备构造 ① ⑧换能器 ① ② ③ ④ ⑦ ⑤ ⑥ ⑧ WORK TOUCH Chip N面清洁度 Bonding部位 是否平整、Au层厚度是否足够 不平、Au层薄 都会影响Bonding部位的固定 Au原子的扩散运动增强 提高Bonding时的结合能力 提高原子之间的再结合能力 Initial Ball 加热 Ultrasonic Energy 超声波振动 荷重 原子之间的扩散接