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第七章 半导体存储器 第一节 概述 第二节 只读存储器ROM 一、掩模只读存储器 三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器（UVEPROM） （三）快闪存储器(Flash Memory） 第三节 随机存储器（RAM） 一、静态随机存储器SRAM （二）静态RAM的存储单元 第五节 用存储器实现组合逻辑函数 某RAM有6条地址线和8条数据线（即I/O线），计算其存储容量为多少？若用此RAM扩展存储容量为1K8位的RAM，计算最少需要多少片？ 在扩展RAM的容量时，若把字数扩展为原来的4倍，需要什么样的译码器？ 何谓存储容量？若存储容量为1024*8，则地址代码应取几位？ 用4片存储容量为1024×4的RAM组成4096×4的RAM的方法是（ ）3分 (A)字扩展 (B)位扩展 (C)既有字扩展也有位扩展 (D)以上都不是 2．下列叙述正确的是（ ）5分 A．数值比较器的输出不仅取决于当时的输入信号，而且还取决于电路原来的状态。 B、移位寄存器的输出仅仅取决于该时刻的输入，与电路原来的状态无关。 C、卡诺图是逻辑函数唯一的表示方法。 D、ROM是组合电路。 选择题 1．一个容量为1K×8的存储器有 个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192 2．要构成容量为4K×8的RAM，需要 片容量为256×4的RAM。 A.2 B.4 C.8 D.32 3．寻址容量为16K×8的RAM需要 根地址线。 A.4 B.8 C.14 D.16 E.16K 5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为 。 A.8×3 B.8K×8 C.256×8 D. 256×256 6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有 。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D.1024行1024列 7．随机存取存储器具有 功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为 。 A.1 B.2 C.3 D.8 9．欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为 。 A.4 B.2 C.3 D.8 10．只读存储器ROM在运行时具有 功能。 A.读/无写 B.无读/写 C.读/写 D.无读/无写 11．只读存储器ROM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。 A.全部改变 B.全部为0 C.不可预料 D.保持不变 12．随机存取存储器RAM中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容 。 A.全部改变 B.全部为1 C.不确定 D.保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM具有 。 A.地址线9根，数据线1根 B.地址线1根，数据线9根 C.地址线512根，数据线9根 D.地址线9根，数据线512根 14．用若干RAM实现位扩展时，其方法是将 相应地并联在一起。 A.地址线 B.数据线 C.片选信号线 D.读/写线 * 存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。 用途：在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器的区别：以字为单位存取，每字包含若干位。各个字的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内部有地址译码器。 【题7.2】【7.5】 分类： 掩模ROM 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 随机存储器RAM 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 按功能 (Read- Only Memory) (Random Access Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) UVEPROM EEPROM 只读存储器ROM Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 电可擦除 紫外线擦除 (Static RAM) 快闪存储器 (Dynamic RAM) 只能读出不能写入,断电不失 还可以按制造工艺分为双极型和MOS型两种。 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量:用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为