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本章小节 * 存储器、复杂可编程逻辑器 和现场可编程门阵列 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 概 述 半导体存贮器是能存放大量二值信息的半导体器件。 存储器的主要性能指标： 存取速度 存储容量 7.1 只读存储器 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 7.1.2 两维译码 7.1.3 可编程ROM 7.1.4 集成电路ROM 7.1.5 ROM的读操作与时序图 7.1.6 ROM的应用举例 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 其运行状态可以随时进行读或写操作。存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。 断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM （PROM） PROM EPROM E2PROM Flash Memory SRAM (Static RAM)：静态RAM DRAM (Dynamic RAM)：动态RAM 7.1 只读存储器 几个基本概念： 存储容量（M)：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：表示一个信息的多位二进制码称为一个字，字的位数称为字长。 存储容量（M)＝字数×位数 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 只读存储器，工作时内容只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。(Read-Only Memory) ROM的分类 按写入情况划分 固定ROM 可编程ROM（PROM） 一次可编程ROM(PROM ) 光可擦除可编程ROM(EPROM) 电可擦除可编程ROM(E2PROM) 闪烁存储器( Flash Memory ) 按存贮单元中的器件类型划分 二极管ROM 三极管ROM MOS管ROM 7.1 .1 ROM的 定义与基本结构 存储矩阵 地址译码器 地址输入 7.1.1 ROM的定义与基本结构 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 1）ROM（二极管PROM）结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 M=4?4 地址译码器 随着地址数量的增加，地址译码器的复杂程度急剧增加 字线与位线的交点都是一个 存储单元。交点处有二极管 相当存1，无二极管相当存0 当OE=1时输出为高阻状态 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时 存储 矩阵 行线与列线的交点都是一个存储单元。 交点处有MOS管相当存0，无MOS管相当存1。 7.1.2 两维译码 该存储器的容量=? 注意：这仅仅是一位。 7.1.3 可编程ROM （自己看） 7.1.4 集成电路ROM AT27C010， 128K′8位ROM Vpp：数据写入时的编程电压（编程写入时， Vpp =13伏） OE：输出使能信号 CE：片选信号 PGM：编程选通信号 数据输出 VPP Ai 1 0 0 编程校验 数据输入 VPP Ai 0 1 0 快速编程 高阻 X Ai X X 1 等待 高阻 X X X 1 X 输出无效 数据输出 X Ai X 0 0 读 D7 ~ D0 VPP A16 ~ A0 PGM OE CE 工作模式 7.1.5 ROM的读操作与时序图（了解P339） （2）加入有效的片选信号 （3）使输出使能信号 有效，经过一定延时后，有效数据出现在数据线上； （4）让片选信号 或输出使能信号 无效，经过一定延时后数据线呈高阻态，本次读出结束。 （1）欲读取单元的地址加到存储器的地址输入端； （1） 用于存储固定的专用程序 （2） 构成逻辑函数, 实现查表或码制变换等功能 查表功能 －－ 查某个角度的三角函数 把变量值（角度）作为地址码，其对应的函数值作为存放在该地址内的数据，这称为 “造表”。使用时，根据输入的地址(角度)，就可在输出端得到所需的函数值，这就称为“查表”。 码制变换 －－ 把欲变换的编码作为地址，把最终的目的编码作为相应存储单元中的内容即可。 7.1.6 ROM的应用举例 1 0 1 0 1 1 1 1 1