第四章MOSFET2.pptVIP

四. MOSFET等效电路与频率响应 1.小信号参数 A 线性导纳 （4-79） （4-80） 随温度升高斜率下降是高 温下迁移率下降造成的 B 栅跨导 漏源电压VDS一定时，漏电流的微分增量与栅源电压 微分增量之比，即： （4-81） 栅跨导表示栅源电压VGS对漏电流的控制能力 理想MOSFET线性区： （4-82） 饱和区： （4-83） 当漏压和栅压较高时，实际跨导与理想值存在一定的 差距，这由于栅压和漏压使沟道内有效迁移率发生变化。 栅压的影响：栅压较低时,跨导随栅压增大线性增大；但随着栅压增大沟道有效迁移率下降；当 因子的减少与栅