ch11半导体封装02.pptVIP

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ch11半导体封装02

模塑封装的主要工艺流程 IC Package Structure(IC结构图) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Raw Material in Assembly(封装原材料) Typical Assembly Process Flow FOL– Front of Line前段工艺 FOL– Back Grinding背面减薄 FOL– Wafer Saw晶圆切割 FOL– Wafer Saw晶圆切割 FOL– Die Attach 芯片粘接 FOL– Die Attach 芯片粘接 FOL– Die Attach 芯片粘接 FOL– Epoxy Cure 银浆固化 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– Wire Bonding 引线焊接 FOL– 3rd Optical Inspection三光检查 EOL– End of Line后段工艺 EOL– Molding(注塑) EOL– Molding(注塑) EOL– Molding(注塑) EOL– Laser Mark(激光打字) EOL– Post Mold Cure(模后固化) EOL– De-flash(去溢料) EOL– Plating(电镀) EOL– Post Annealing Bake(电镀退火) EOL– TrimForm(切筋成型) EOL– TrimForm(切筋成型) EOL– Final Visual Inspection(第四道光检) 电路连线技术 引线键合(Wire Bonding) 载带自动键合(Tape Automated Bonding, TAB) 倒装芯片键合(Flip Chip, FC) 引线键合技术(Wire Bonding) 载带自动键合技术(Tape Automated Bonding, TAB) 倒装芯片键合技术(Flip Chip) 各连线技术之应用范围 Before After 目的:De-flash的目的在于去除Molding后在管体周围Lead之间 多余的溢料; 方法:弱酸浸泡,高压水冲洗; Before Plating After Plating 利用金属和化学的方法,在Leadframe的表面 镀上一层镀层,以防止外界环境的影响(潮湿 和热)。并且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高导电性。 电镀一般有两种类型: Pb-Free:无铅电镀,采用的是99.95%的高纯 度的锡(Tin),为目前普遍采用的技术,符合 Rohs的要求; Tin-Lead:铅锡合金。Tin占85%,Lead占 15%,由于不符合Rohs,目前基本被淘汰; 目的: 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间,目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长(Whisker Growth)的问题; 条件: 150+/-5C; 2Hrs; 晶须 晶须,又叫Whisker,是指锡在长时间的潮湿环境和温度变化环境下生长出的一种须状晶体,可能导致产品引脚的短路。 Trim:将一条片的Lead Frame切割成单独的Unit(IC)的过程; Form:对Trim后的IC产品进行引脚成型,达到工艺需要求的形状, 并放置进Tube或者Tray盘中; Cutting Tool Forming Punch Cutting Die Stripper Pad Forming Die 1 2 3 4 Final Visual Inspection-FVI 在低倍放大镜下,对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品:例如Molding缺陷,电镀缺陷和Trim/Form缺陷等; 导线架 载带自动键合(TAB)技术概述 载带自动焊(Tape Automated Bonding,TAB)技术是一种将芯片组装在金属化柔性高分子聚合物载带上的集成电路封装技术;将芯片焊区与电子封装体外壳的I/O或基板上的布线焊区用有引线图形金属箔丝连接,是芯片引脚框架的一种互连工艺。 主要用于通信、液晶显示、智能卡IC、电子表、录像机和照相机 传动孔 外引脚孔 內引脚 外引脚 晶片 高分子捲带 载带之基本架构 倒装芯片键合技术 倒装芯片键合(F

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