基本放大电路与多级放大电路方案.ppt

本章要求： 放大的概念: 2.1 基本放大电路的组成 2.1 基本放大电路的组成 2.1 基本放大电路的组成 2.1 基本放大电路的组成 2.1.3 共射放大电路的电压放大作用 结论： 2.1.3. 共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直、流通路和交流通路 2.2 放大电路的静态分析 2.2 放大电路的静态分析 2.2.1 用估算法确定静态值 2.2.2 用图解法确定静态值 2.2.2 用图解法确定静态值 2.3 放大电路的动态分析 2.3 放大电路的动态分析 2.3.1 微变等效电路法 2.3.1 微变等效电路法 动态分析图解法 2.3.2 非线性失真 2.3.2 非线性失真 2.4 静态工作点的稳定 2.4.1 温度变化对静态工作点的影响 2.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: 2 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 作业题一 2.2.52.3.7 2.4.3 2.4.5 2.5 放大电路的频率特性* 2.6 射极输出器 共集电极放大电路射极输出器的特点： 例1: 解: 2 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 作业二 2.6.2 2.6.4（射极输出器） 2.7 差动放大电路 2. 7. 1 差动放大电路的工作情况 1. 零点漂移的抑制 2. 有信号输入时的工作情况 2. 有信号输入时的工作情况 3 比较输入 2. 7. 2 典型差动放大电路 四、 差分放大电路的输入、输出接法 四、 差分放大电路的输入、输出接法 四、 差分放大电路的输入、输出接法 2.8 互补对称功率放大电路* 2.8.1 对功率放大电路的基本要求 2.8.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 2.9 场效应管及其放大电路* 2.9.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 2.9.3 场效应管放大电路 2.9.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 2 动态分析场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，即是电压控制元件。它的输出电流决定于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。 结型场效应管 按结构不同场效应管有两种: 绝缘栅型场效应管 本节仅介绍绝缘栅型场效应管 按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类 每类又有N沟道和P沟道之分 漏极D栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称绝缘栅型场效应管。 金属电极 1 N沟道增强型管的结构 栅极G 源极S 1. 增强型绝缘栅场效应管 SiO2绝缘层 P型硅衬底高掺杂N区 G S D 符号：由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014? 。 漏极D 金属电极 栅极G 源极S SiO2绝缘层 P型硅衬底高掺杂N区由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。 2 N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + –由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的PN结。 当栅源电压UGS 0 时，不管漏极和源极之间所加电压的极性如何，其中总有一个PN结是反向偏置的，反向电阻很高，漏极电流近似为零。 S D EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – 当UGS 0 时，P型衬底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层； N型导电沟道在漏极电源的作用下将产生漏极电流ID，管子导通。 当UGS UGS（th）时，将出现N型导电沟道，将D-S连接起来。UGS愈高，导电沟道愈宽。 2 N沟道增强型管的工作原理 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGSth）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGSth）。 2 N沟道增强型管的工作原理 3 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UGSth） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS 1V UGS