通信电子线路讲义5-1精选.ppt

其中： 且： ω0 ω0 ω0 ? ? ? ? ? ? Q ? ? （1）减小外因的变化 温度变化可以采用恒温措施； 湿度变化采用将电感线圈密封或固化； 电源电压变化采用稳压电源； 机械振动采用减震措施； 负载变化采用射随器隔离。 （2）提高电路参数抗外因变化的能力 ① 选用正温度系数的电感和负温度系数的电容组成谐振回路进行 温度补偿。 ② 减小晶体管极间电容不稳定量 、 对回路总电容 的影响，可采用部分接入方式的克拉泼电路、西勒电路和晶体振荡器。 ③ 选用高Q的元件。 选用 小的电容三点式振荡电路形式。 § 5.5 高稳定度的LC振荡器 1. 一般电容三点式振荡电路频率稳定性的分析 当 、 没变化时，回路总电容 对应振荡频率为: 而 、 与晶体管工作状态和外界条件有关。 当 变化ΔCo， 变化ΔCi时，总电容的增量: 结论：一般电容三点式振荡电路 p1 、p2 不可能同时减小，故频率稳定度不可能做得较高。 2. 克拉泼（Clapp）振荡电路 ①在电感支路串接小电容C3 ②满足C3C1，C3C2 ③回路总电容为： (1) 电路特点 (2) 相位平衡条件（正反馈） 为容抗， 为容抗同性质。 可等效为感抗，与 、 反性质。 满足电容三点式振荡器相位平衡条件判断准则，为电容三点式振荡电路。 (3) 振荡频率 因为 所以振荡频率为： (4) 稳频原理 总的电容增量为： 其中 ①p1 、p2可以同时减小， 可很小，故频率稳定度比一般电容三点式高。 结论： ②p1 、p2 的减小受到电路起振条件的限制，频率稳定度不可能很高。 ③克拉泼电路主要用作固定频率振荡器。 3. 西勒（Siler）振荡电路 (2) 相位平衡条件（正反馈） 为容抗， 为容抗同性质。 可等效为感抗，与 、 反性质。满足电容三点式振荡器的相位平衡条件判断准则，为电容三点式振荡电路。 (3) 振荡频率 (1) 电路特点： 西勒电路是在克拉泼电路基础上，在电感 L 两端并联一个电容 。 电路条件仍是C3C1，C3C2， 与 同数量级。 回路总电容为： (4) 总结 这种电路保持了克拉泼电路中晶体管与回路耦合弱的特点，频率稳定度高。调频时，输出振荡电压幅度基本平稳，可作为变频振荡器 。 Co Cg Co Cg5 Cg3 Cg Lg Lg3 Lg5 Lg Rg § 5.6 晶体振荡器 (Crystal Oscillator) Co Cq Lq Rq So： ≥（12 500～25 000） 如：国产B45 1MHz中等精度晶体的等效参数：Lq= 4.00H，Cq=0.0063pF， rq≤100～200Ω ，Co=2～3 pF。因而晶体的品质因数Qq很大，一般为几万至几百万。 Co Cq Lq rq fq fp 电容性 电容性 电感性 f Xe O 忽略rq时： ① 当 和 时， ，晶体等效为电容； ② 当 时， ， 晶体等效为短路； ③ 当 时， ， 晶体等效为电感； ④ 当 时， ， 晶体为并联谐振。 总结： 晶体使用的两种模式： 时， 晶体 短路线 时， 晶体 电感 C L JT C1 C2 JT 3. 并联型晶体振荡器(Parallel of Crystal Oscillators) EC JT C2 C3 C1 Rb1 Rb2 Cb Re Lc 晶体 C1 C2 JT C3 Lq Cq rq Co C1 C2 C3 电路的谐振频率的估算: C1 Cc Ce Rb1 Rb2 Re L1 L Ec JT C2 C1 C2 L1 JT C1 C2 C3 JT L Rb1 Rb2 Rc Re Cb Cc C1 C2 C3 JT Co L Ec 4. 串