《单电子现象与单电子器件毕业设计》.docVIP

学校代码 10722 学 号 0807014130 分 类 号 O488 密 级 公 开 本科毕业设计（论文） 题目：单电子现象与单电子器件 Topic: Single Electron And Single-Electron Devices 摘 要 单电子现象是低温物理学的一个重要研究领域由于分子电子器件的超小电容结构，使得即使在室温下也能观察到单电子现象，引起了研究人员的广泛重视。(single electron transistor, SET)能够控制单个电子一个接一个的通过岛从 “源”端隧穿至“漏”端, 单电子存储器通过控制单个或者几个电子实现信息的存储,具有极低的功耗和极小的尺寸,是实现高密度信息存储的一个重要方向。本文介绍单电子现象的基本物理原理，分析了一些器件中的单电子现象，并说明了电子器件中单电子现象的研究意义及其应用前景 关键词单电子晶体管; ; 库仑阻塞现象Abstract Single electron is an important research field of low temperature physics, and affects the structure of a single electron charge transport phenomena; the ultra-small capacitance structure of the molecular electronic devices, can be observed even at room temperature single-electron phenomenon, and caused by the extensive attention of researchers. Single-electronic devices has become Chinas scientific researchers are keen; in this article include device is a single-electron transistors and single electron memory; single-electron transistor single of electron transistor (SET) to control single electrons one by one through the Island source side tunneling to the drain side, the single-electron memory by controlling a single or several electronic information storage, with very low power consumption and very small size, is an important direction of the high-density information storage. This paper introduces the basic physical principles of the single-electron phenomena, analysis of single-electron phenomena in the single-electron devices, and explains the significance of single electron devices, single electron devices and its application prospects. Keywords：Single-Electron Transistor; Single-Electron Phenomena; Coulomb Blockage 目 录 摘 要 I Abstract II 目 录 III 引言 1 1 单电子现象 1 1.1微电子技术的发展现状 1 1.2单电子现象与库伦阻塞 2 2 单电子器件 4 2.1 单电子器件研究史 4 2.2 单电子盒 6 2.3 单电子陷阱 8 2.4 单电子晶体管 9 3 单电子器件的应用 11 3.1 单电子能谱仪 11 3.2 单电子逻辑电路 12 3.3 单电子储存器 13 4.结论 14 参考文献 15 谢 辞 16 引言 众所周知，当前信息技术的不断发展，主要归功于低价格，高速度，