场发射显示器[Field Emission Display, FED] 场发射电极理论最早是在1928年由R. H. Fowler与L. W. Nordheim共同提出。 1968年由C. A. Spindt提出运用场发射电子作为显示器。 场发射显示器的原理类似阴极射线管 场发射显示器則由数十万个主动冷发射子所构成,每一像素有固定独立的电子发射子,毋须使用偏向板。 简单的说就是利用无数的纳米碳管尖端放电,来取代传统阴极射线管中的电子枪,它不仅保留了传统阴极射线管电视优秀的影像品质,而且能源消耗低,整個荧幕的厚度可以從阴极射线管的50cm压缩到1cm,重量也大幅减轻。 单层纳米碳管(SWCNT)制作射极的新方法 仅需4V的驱动电压就能释放出电子。 在以尖端直径约20-30nm的圆锥状硅晶片作为射极所用传统场发射元件的制备基础上,再加上在硅晶片尖端以热CVD(化学气相沉积)法生长SWCNT的制备而成。 使圆锥状硅晶片的尖端成長SWCNT的射极(左)和将之並列如右的电子显微镜照片。 以奈米碳管作為場發射子,具有相当低的驱动电压,仅需4V的驱动电压就能释放出电子。 Milne等科学家发展出以单一光罩与自对准技术制造出场发射微阴极的技术,这项技术能保证纳米碳管与闸极针孔中心能共线。 每一微空中约有10余支纳米碳管,其直径约10-50nm,长度0.4 微米。 利
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