传感与测试技术8.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * 8.3.1 半导体单晶非结型温度传感器 载流子浓度与温度的关系 低温范围 本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供,它随温度升高而增加。 室温范围 杂质已全部电离,本征激发不明显,载流子基本上不随温度变化。 高温阶段 本征激发增加,大量本征载流子产生 电阻率与温度的关系 散射主要由电离杂质决定,迁移率随温度升高而增大 载流子主要由杂质电离提供,随温度升高而增加 电阻率随温度升高而下降 晶格振动散射为主,迁移率随温度升高而降低 杂质已全部电离, 载流子基本上不随温度变化 电阻率随温度升高而升高 本征激发增加,大量本征载流子产生 电阻率随温度升高而下降 8.3.1 半导体单晶非结型温度传感器 硅温度传感器结构与电阻-温度特性 硅温度传感器结构 电阻-温度特性曲线 8.3 半导体温度传感器 8.3.2 PN结型温度传感器 二极管温度传感器 PN 结的电流密度为 Js —为反向饱和电流密度; q0 —为电子电荷量; U —为外加电压; K —为波耳兹曼常数; T —为绝对温度。 当PN 结处于正向偏压下，正向导通有正向偏压 ,故有： 当电流密度J 保持不变时,PN 结的正向电压Uf 与绝对温度T 成正比 8.3 半导体温度传感器 8.3.2 PN结型温度传感器 二极管温度传感器 二极管温度传感器温度-电