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一、 绪论 一、填空 1、在时间上和幅值上均是连续的信号称为 模拟信号 ，在时间上和幅值上均是离散的信号称为 数字信号。 2、在输入信号幅值保持不变的条件下，增益下降 3 dB的频率点，其输出功率约等于中频区输出功率的一半，通常称为半功率点。 4、放大电路线性失真包括幅度失真和相位失真。 二、 运算放大器 一、填空 1、集成电路运算放大器的内部由输入级、中间级、输出级和偏置电路组成。 2、在同向放大电路中，当电压增益为 1 时，该电路称为电压跟随器。 3、工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均为零称为虚 断 。两个输入端的电位相等称为虚 短。 4、为了实现以下功能，请选用适当的电路：（1）将正弦波转换为矩形波，应采用 滞回比较器 电路；（2）将矩形波转换为三角波，应采用 积分 电路；（3）将矩形波转换为尖脉冲，应采用 微分 电路。 5、模拟运算电路中集成运放引入了负反馈，运放电路工作在线性工作区域，分析这类电路可以虚短和虚断。 二、判断 1、当理想运放工作在线性区时，可以认为其两个输入端“虚断”而且“虚地”。（?×?）? ?2、集成运放在开环应用时，一定工作在非线性区。（?√??） 3、若放大器没接负载，说明放大器工作在开环状态。（?×??） 4、在运算电路中，集成运放中的反相输入端为虚地。（?×??） 5、集成运放构成的放大电路中，输入电阻都趋近∞。（?×??） 6、同相加法器和同相型运放一样，各输入电阻均为无穷大。（?×??） 7、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。 （× ） 8、实现运算电路不一定非引入负反馈。（×） 三、 二极管及其基本电路 一、填空 1、PN结正偏时导通，反偏时截止，所以PN结具有单向导电性。 2、漂移电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零，等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为无穷大，等效成断开； 4、P型半导体中空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 5、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。 6、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 7、二极管最主要的特性是单向导电性 。在常温下，硅二极管的开启电压约 0.7 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.7 V；锗二极管的开启电压约 0.2 V，导通后在较大电流下的正向压降约 0.5 V。 8、本征半导体中的自由电子浓度等于空穴浓度，P型杂质半导体中的自由电子浓度小于空穴浓度，N 型杂质半导体中的自由电子浓度大于空穴浓度。 9、在本征半导体中加入三元素可形成N型半导体，加入五元素可形成P型半导体。 10、硅二极管的完全导通后的管压降约为0.7V 11、稳压管通常工作于反向击穿区，来稳定直流输出电压 13、当PN结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层变 变窄 ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层变 宽。 二、判断 1、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√） 2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） 3、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） 4、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在正偏状态。（×） 5、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽（×）。 6、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。 （√ ） 7、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 （× ） 四、三极管 一、填空 1、三极管是 电流 控制元件，场效应管是 电压 控制元件。 2、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic 增加 ，发射结压降 减小 。 5、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 6、晶体三极管的集电极电流Ic=βIb 所以它是电流控制元件。 7、在共射、共集、共基三种基本放大电路中，可以放大电压、不能放大电流的是 共集，不能放大电压、可以放大电流的是 共基，输入电阻最小的是共基，输出电阻最小的是共集。 8、工作在放大区的某三级管，当IB从20μA增达到40μA时，IC从1mA变为2mA，则它的β值约为 50 。 9、NPN型三极管处在放大状态时，3个电极电位以集电极电位最高， 发射极电位最低。 12、下图 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为 NPN型和PNP型，用半导体材料_硅_和_锗_制成，电