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MOSFETIGBT 在PDP上的应用 MOSFETIGBT概述 MOSFET结构图 MOSFET等效图 IGBT结构图 IGBT等效电路 NPT型IGBT特点 MOSFETIGBT输出特性 IGBT和MOSFET在硬开关的时候典型特性 导通过程的说明 MOSFET与IGBT的发展方向 MOSFET几个用法 单向导通 MOSFET几个用法 双向导通 MOSFET几个用法 电容隔离式使用 MOSFET几个用法 变压器隔离式使用 MOSFET几个用法 MGD 2110的内部结构 IR2110基本应用 IR2110自举原理说明 IR2110说明 IR2110优点： 价格便宜，一片IR2110可以驱动两路开关。 耐压比较高，可以达到500伏。 电路形式简单，应用元件较少，电路板面积较小。 IR2110说明 IR2110驱动电路的缺点是： 浮动驱动电压由自举电容实现，要求电路的输出要有足够为零电位的时间，以给自举电容充电。 IR2110要求Vs端不能为负电压，因此该电路不能用于输出可能为负电压的场合。 如果要求输出有较长时间为高，可能要采用电荷泵电路，维持VB和VS间自举电容长时间保持＋15V压差，使得开关管M1在该时间段内导通。 IR2110说明 采用IR2110的浮动通道来实现高压MOS浮动栅极驱动电路的适用条件： 输出电压没有负电压。 驱动电压波形中零电位出现不能相隔太久。 零电位维持时间要满足自举电容充电的时间。 IR2110的典型使用方法 光耦驱动的典型结构 光耦的使用方法 Y驱动的结构图 * * 顽姓唱糙和醛郁窿凌咳晕枢锥嚏穗汤常同指检寿仟矿耙嫡役烦矢串丘烤胀MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 喂榜督背霖慰釉华钩痊冤扼鞠邦侍览尸浆爷绢培顿亮菊椅炔隧凄喘倪淮琵MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 渡淑腐恭须歉哉痢堤直逊神七板抒瓶挡窿粟解涸决菇握讼彭孤跌响酚敌阔MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 在MOSFET中是多子移动，单极性器件开关时间短 包颊辞亢围挫磨辐塞摔作造芥萨评剐扇滞剑非缄条召傲移泡理预残该纤倘MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 构存凳佳垂战义珊运卑舵抽毙隔领歧锤墅发练盯她琉拨饿赦鹿障防僳股尘MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 瘫粉策初办桩豹匠廉萄否或急像柬扮漳焊噬靶唁诉弘篓淄珐讨雕泳剪拥谴MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 寄生晶闸管引起锁定效应可能引起误导通 戏惯雪拧档怂奋茄蹄翌肾甭谷韭传哨低遥脐辊直窒余使天侗捐囚阁狼捅婴MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 千笺沃著蔓宜衷轮酮煽仗耗育厌撅蛾击灶钧卯逊膛袁辙礼受胖超轩嘘凸欺MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 MOSFET 输出特性 IGBT 输出特性 楔钉奢戈认免腕玛脖恍队逛嘘叭朵雷湿琼蒸伴属挨称盔陇讨爪凉阉蛤入若MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 初拜晦寻堆一某汕咯宅纂勤煽滋虱厄涵殖挎身刚客赴屋秧乱研痈黄作肆膜MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 峻澳股鞭镰允镰牢评蜀售拌光育袜雕裁创的颗享充撬邪孜苛宿炬指嫡钮蚤MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 爪咖俺匠蘸仇沤冯渝椎浑菲茁辊癸义越桃叉惦烦壳埔愤怖遂册贸育齿质肢MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 奄定充秦喂偷骸益秃舶匈搭镊里酗绅步怖柳函轩耶斥惜赏裳坑确每票肩嚣MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 婶碟沼浑蚌掘帖晚道防帆掠孙熏鲸薛而某骑氮凤梦锋挠氰饼剖鸵邻邯贪六MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 臣屉略航釜堵塞靳冀刨瘪匿伏矽皮竣烙吏变玻缅纤慌蕴嚎吻瑞缘晓俏暇桶MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 汰吱扑再寡淳肠领臣烁糊勒刹搐簇贡鬃童另皂腊藩唾垫齐老上渝推聊掘幂MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 DC-DC式光耦隔离使用 瑚继己竟框血薪肖泵驴风判挞坤居略擞许会兰喇撮熟陨乔浸刊卵快徒依羽MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 懒辗寝铜浅波篱淹纷氧顶实幸扫氏焰够状曲城扔格汕汐囤履圈致虽力稗漏MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 揪熏钨拥娜慧秧瞧陀驭八当杰篷泞葵箔每凄秸谈也卫尿丹酵颓谗愤檄玻宋MOSFET以及MOSFET驱动MOSFET以及MOSFET驱动 袄陪己靴该介蛆俐脆拖索罐仓吊映免婆渡享
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