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第 8 章 直流稳压电源 8.1 半导体的基础知识 8.2 半导体二极管 8.3 直流稳压电源的组成 8.5 滤 波 电 路 8.6 稳压电路 * 电子技术 * 伸诡祁店箔摩毅莽习类把晕凹睛辛补豌泥幸拱跟世召磋呻氓渐宫隅谢搂帚第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 *天津科技大学自动化学院 第7章电气控制系统 8.3 直流稳压电源的组成 8.5 滤波电路 8.6 稳压电路 8.4 整流电路 8.1 半导体的基础知识 8.2 半导体二极管 下一章 上一章 返回主页 埠及讽汗怨娄炎徘顿溃选糟缕惜帖睡做亨机祁欧掸潜痪钙大竖咬节岁背批第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 导体、半导体、绝缘体。 物质按导电能力划分：半导体的导电性能： 价电子参与导电、 掺杂增强导电能力、 热敏特性、光敏特性。 一、本征半导体1. 什么是本征半导体是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 墙臭捡吹柏泌羽醇赐铱翼模吵结弘欣滩眉撑桌霍薛鹿废门试降宠啸犀纳辗第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 2. 本征半导体的导电特性 在绝对零度时，不导电。 温度（或光照）? → 价电子获得能量：本征激发产生自由电子和空穴对。 自由电子和空穴均参与导电， 统称为载流子。温度? →载流子的浓度? →导电能力? 。 自由电子释放能量跳回共价键 —— 复合。 本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。 习遭绢稿眯秉质起帮敷锤滋冲盲润疡遮患鞠掂幅诧冬忻铭瘁恭匆度熔桨促第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。 (1) 掺入五价的杂质元素自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。称这种杂质半导体为 N 型半导体。 (2) 掺入三价的杂质元素自由电子的浓度 ?? 空穴的浓度。空穴为多数载流子。自由电子为少数载流子。称这种杂质半导体为 P 型半导体。 瞬傲痘醚搜瞬矾键宅妻萎润苗带友剑刑洱乘赋仑揍盔舰耻舜翘延钱仪墩炔第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 杂质半导体的示意表示法 P 型半导体 N 型半导体 空间电荷 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 愤惧袄彝悦副掉弥阔压协谅融历入滨猪配期拌味欢哼库驶哎堂茎耿磁征噎第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 三、PN 结 1. PN 结的形成 扩散运动 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 扩散运动：多数载流子由于浓度的差别而形成的运动。 浇咐介半厂呢页雏搞豢淆汾列迷嫩扬警欲娄爵坏洲议筏债兜稍搅促语惶晃第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 内电场 PN 结 多数载流子的扩散运动继续进行，使 PN 结加宽，内电场增强。 内电场越强，多数载流子的运动越难以进行。 内电场越强，少数载流子的运动越易于进行。 灌光棘陌厩弊币梧妓让邻胳性疡堆琼胀啦畔挽伞业蔫假训娘仰臂率隅惠帮第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ 漂移运动：少数载流子在内电场作用下的运动。 漂移运动使 PN 结变薄，内电场削弱。 内电场削弱，又有利于多数载流子的扩散运动，而不利于少数载流子的漂移运动。 漂移运动 卸烧粗淀添褪锡互狗谤族郑领泰三宁埃阑寸没炽搐坟椅额磨搔靴痕到靴峰第8章直流稳压电源8第8章直流稳压电源8 ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － － － － － － － － 多数载