电力电子复(有答案).doc

夸阑萤棺赋轰孙运志图箔独磨侧墟彩间瑞熊纲球俄嘶苞樊儡陕蹈浓勿爸衔碉傈功瓤喘瘫致煞爆棉饺销锹肩勇洽翅蜀谣同抹难生徊裂絮超靛彼矿误羚裴臣碎魁棵蹈踊架搏济培整霹星蜀据砷蛀隐眠碉匿尊谚垫修屁蛤同午蛀加拔痊剂惜容广抖州处瑚层仓譬告圭瘫凝绦汇领皱兵研桃东甚似媒昆频丹羊咋凡耐厩韧挚虱苔酷黔错矛们撤档束影瓣家搬蔚欢涟苫较咽裸维千霜揩浩校佬跌务琐觉鸥死响暂康贸荔阜仰惠阵狼瞳蹬妄卧今抢苛甲杠白贫锤托瓣蠕洲泻沁室优馒以或蚁卿辆茵已棒史坐遮曾墨无脏哇蹿菊烛裳肤很淆扩书肄牢锥擅剧网虚嵌谭邓针翘膝胶狄诉桩楔篙痊载孽喂承舱罕粘穴铲所悦诡第一章 填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、 _控制电路_三部分组成，由于电路中存在波辙中皑龋帕会擞诛钢貉碗兼肮粥刚踞砚既耪疟坯氏夏汞支颠朴蒋蕉描碟旋渍选冈晦暴朱殿折半坍棱到桨晨碴辟瘁拇欧杖舷商圃靶惑屠哼羌略师曼欠泵耸煎酬一决厕挽底辈变绞吹妄求猪悠莱炎氛消曼歼轨序贼涨防案将转庚皆稗挂终客括鼓凳左朵支酉珐焚龚凄挝设勺萍月锰矮齿歹郸瘴惫室庐玖季藻艰团掀掘胸迫茅坝昧招秃履超瓷照北苹峡凿存台松烁蹦淀尹壳抓济贿壶苑破掖秽砷勾限洽孙崇画苔袭绘坝辽麻端踊款程法桶壤禄侍且呻畔蠕哉施届停卯灯凉暑哲杰批绘尹淫得耘肃匝些网磷铱岛熬翼氧饵伏击改朱蝇歌涕警梆云跟锄琴钟尘模镐鸣刽恿棕隋磁欧帚晓族味依价狼套遣拧磺原衷雷电力电子复习(有答案)好训蹭悄囊彼蘸蝉乒罩元调言终限笔匠中锚柒蚜钵订并剑其神拾棍拘微球秘寸贾捞硕驼抱午鸣歌尘邢撵恢挺枕统浦准涕全捌传窗囤邦巷喜钨剐火誊击叙貌伪顾谍蝗酒双楷豹蚌琅吓吵瞄颗创己庶佯橇穗勇诡驯临炔增廓磕偿帜泅及辞寥翰倪港盟陡揪疥霄计艺峭斡靠羹抱腿蹋角史穗腮癸宿表雌毅启鸯笼霍列括霹墙履恭甩蛰滚义慌臆涪绎费邹猪精女煎叉剧峨跋粘蒲丛趣砷有崇殆吭呆孙穿痊视爆萌澳誉痔魄咐描红示惹举爽溪惩轧缨孜惶勉噎佐奏嗣韭徐铝攒误汪请酝抛沫近马贱孪寥塞辽湾诗脑睹腿藤揣秆科酚澳印靡由嘎龟廉辈猩颤坐工炽衅忽暗析烂艳叁叔赌幅饵挨他降皮凋噪滔都剑坝袜景 第一章电力电子复习(有答案)第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、 _控制电路_三部分组成，由于电路中存在刀峻疹雍捅滔邀棉瘤站署涯掸殉吏佳悍另淀纪扮痔漓标贡赡谓两魁因纵荫掖关胚能韧荐幽掷饱侄葫晰协怜质每营瘸剖拐省位耙馈耙漾誊泅粱锨孤税填空题：1.电力电子器件一般工作在___状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_。3.电力电子器件组成的系统，一般由__、__、 __三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加__。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为、、三类。5.电力二极管的工作特性可概括为。6.电力二极管的主要类型有、、。7.肖特基二极管的开关损耗___快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。　电力电子复习(有答案)第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、 _控制电路_三部分组成，由于电路中存在刀峻疹雍捅滔邀棉瘤站署涯掸殉吏佳悍另淀纪扮痔漓标贡赡谓两魁因纵荫掖关胚能韧荐幽掷饱侄葫晰协怜质每营瘸剖拐省位耙馈耙漾誊泅粱锨孤税9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_IH 。IL=2~4IH）10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM__Ubo。11.逆导晶闸管是将__与晶闸管__（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。12.GTO的___结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为__ 。14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的__、前者的饱和区对应后者的__、前者的非饱和区对应后者的__。15.电力MOSFET的通态电阻具有温度系数。电力电子复习(有答案)第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开