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第2章 常用电子元器件的应用(2) 第2章 常用电子元器件的应用 2.1 电阻器 2.2 电容器 2.3 电感器 2.4 晶体管 2.5 表面贴装元器件 2.6 光电耦合器 2.7 继电器 2.8 功率驱动 2.9 显示器件 2.4 晶体管 2.4.1 硅二极管和硅整流桥 1．硅整流二极管 硅整流二极管除主要用做电源整流外，如图2.4.1所示还可以做限幅、钳位、保护、隔离等多种灵活应用。 图（c）中J为电磁继电器线圈，二级管将抑制此感性负载在晶体管T由饱和跳变到截止时所产生的大幅度的反向电动势，从而保护T。 图（d）为脉冲微分限幅电路，将在输出削去负尖脉冲。 图（e）为RAM数据保持电路。后备银锌电池E=3.6V，在RAM 正常工作时，RAM 由+5V电源供电，且可通过D 对E充电。断电时，RAM 由E 供电，D 将E 和电路+5V端隔离。 图（f）为RC 充放电电路。充电通过D1R1进行，而放电则通过D2R2 进行。 2．高速开关管 检波二极管 和整流管不同之处在于工作在小信号、高频率的电路中，如各种检波器。故其电流小，结电容小，工作频率高。 3．硅整流桥 常用硅整流桥分为单相半桥、单相全桥和三相全桥几种，如图2.4.2所示。 其中单相全桥在小功率整流电流中应用广泛，而三相全桥则在电力整流器、逆变器等大功率设备中使用。 常见硅整流桥的外形 4．肖特基（Schottky）二极管 肖特基二极管是由金属和半导体接触形成的，其制造工艺与TTL电路相类似，工艺步骤比较复杂。 它不是利用PN结的单向导电性，而是利用势垒的整流作用和多数载流子导电，因而没有少数载流子的存储效应。 因此具有反向恢复时间短（最低可达10ns）和正向压降低（可达0.2V）的突出优点。 它主要用于开关稳压电流做整流和逆变器中作续流二极管。 5．快恢复（Fast Recovery）二极管 快恢复二极管工作原理与普通二极管相似，亦是利用PN结单向导电性，但制造工艺与普通二极管不同。 它的扩散深度及外延层（外延型）可以精确控制，因而可获得较高的开关速度，同时，在耐压允许范围内，外延层可做得较薄，正向压降较低。 它的反向时间约为0.2～0.75?s。 和肖特基二极管相比，其耐压高得多。它主要也用在逆变电源中做整流元件，以降低关断损耗，提高效率和减少噪声。 高速恢复二极管反向恢复时间可达25ns。 设计电路选用各种二极管时应注意以下几点： （1）电流减额 电流减额因子S≤0.5。如图2.3.1（a）的全波整流电路，若通过负载RL的平均电流IL0.5A，则应选择平均整流电流≥1A的普通硅整流二极管，如1N4000系列。 （2）注意浪涌电流 在某些应用场合，如图2.3.1（f）中的充放电电路，在开始充电瞬间通过D1的电流最大，选管时应予注意。 （3）反向峰值电压 图2.3.1（a）中整流二极管承受的最高反向电压VR=1.4V（V为变压器Tr次级绕组电压的有效值）。选管时应充分考虑电压减额。 （4）正向管压降 在低电压大电流的整流电路里，整流二极管的管压峰不能忽略。对于图2.3.1（e）的隔离二极管D，若希望RAM的VCC4.8V，则可以选用正向压降在0.1～0.2V之间的肖特基二极管。 （5）工作频率 二极管的最高工作频率与其结构与工艺密切相关，例如普通硅整流管PN 结为平台结构，结电容大，正向整流大，工作频率低。2AP型锗二极管为点接触型，结电容小、工作频率高，正向压降也小。 （6）反向漏电流 2.4.2 半导体三极管 1．常用小功率半导体三极管 金属封装 塑料封装 贴片 2．通用功率管 塑料封装 金属封装 达林顿（Darlingtons）功率管 3．双极性半导体三极管选用时的注意事项 （1）确定三极管的类型 首先必须根据电路的要求确定三极管的类型。多数场合设计者喜欢选用NPN型。但是如果需要低电平使三极和导通或需要采用互补推拉式（pull-push）输出，则必需使用PNP型晶体管。 晶体管工作于开关状态时，一般应选用开关参数（ton、toff、Ccb、fT）好的开关晶体管。若选用普通晶体管，则需选用fT100MHz的管子。而且实用时，其开关参数（如tr、tf）和集电极负载电阻、负载电容密切相关。集电极电阻愈小，开关速度愈快，但IC和管耗都会增加，应权衡决定。 （4）共射极交流小信号电流放大系数?（hFE） 小功率晶体管的共射极交流小信号电流放大系数?（hFE）较高，数字万用表测的是直流hFE，和交流hFE 接近，但有差异。 大功率晶体管hFE要低得多。 特别值得注意的是：即使是小功率晶体管在开关应用时，饱和状态的hFE，也远较正常值为小。 小功率晶体管应避免靠近发热元件，以减小温度对性