CMOS电路导论.pptVIP

五、CMOS 电路（一）、CMOS反相器工作原理CMOS 电路的结构特点是：一个N沟道管和一个P沟道管配对使用，即N、P互补（Comp-lementary）。P管作负载管，N管作输入管，两管栅极接在一起。注意：P沟的开启电压是负值栅极电压要低于源极。两管导通时的电阻较小为RON两管截止时的电阻很大为ROFF当输入电压VI为低电平时，VI=0P管导通，N管截止，输出电压V0为：ROFFV0 = —————— VDD ? VDDROFF + RON当输入电压VI为高电平时，VI=VDDP管截止，N管导通，输出电压V0为：RONV0 = —————— VDD ? 0 VROFF + RON与 E/E MOS 反相器相比，输出高电平= VDD 且总 有一个管子是截止的（稳态），工作电流极小，功耗极 低。 （二）、CMOS反相器的电压、电流传输特性电压传输特性是指输入电压与输出电压之间的关系。 首先由CMOS反相器电路，我们先确定VI、VO与两个管 子极电压之间的关系：对N管VGSN=VIVDSN=VO对P管VGSP=VI — VDD VDSP= VO — VDD对N沟输入管，我们关心VI在两个转折点的情况： 第一点 截止或导通标志点在于 VGS(th)N第二点 饱和或非饱和标志点在于：VGSN — VGS(th)N = VDSN由于VGSN=VI所以可改写为： VI — VGS(th)N = VOVDSN=VOVI = VO + VGS(th)N 因此，由上述两个标志点，可将VI变化分为三个区间：0VGS(th)NVO + VGS(th)NVDD同理，对P沟负载管，我们关心VI在两个转折点的情况： 第一点 截止或导通标志点在于 VDD+ VGS(th)P第二点 饱和或非饱和标志点在于：VGSP — VGS(th)P = VDSP 由于VGSP=VI — VDDVDSP= VO — VDD 可改写为： VI — VDD — VGS(th)P = VO — VDDVI = VO + VGS(th)P 由上述两个标志点，可将VI变化分为三个区间： 0VO + VGS(th)PVDD+ VGS(th)PVDD我们可将VI从0到VDD的全程划分为六个刻度，序号如图 注意：N管和P管的开启电压分别为正值和负值。至此，我们综合两管的转换标志点，将输入范围分 成六个刻度，五个区间，在每个区间两管有明确的工作 状态，它们对输出产生直接的影响。 见表4-5-1CMOS反相器电压传输特性 电流传输特性 CMOS反相器的特点：（1）静态功耗极低（2）抗干扰能力强Vth = VDD / 2阈值电压处于电源电压1/2（3）电源利用率高VOH = VDD且电源范围较宽。一般3-18V（4）输入阻抗高，负载能力强。（5）由于输出阻抗较高，故工作速度较慢。 （三）、CMOS反相器的其他特性（自学）主要内容：输入特性：由于输入阻抗极高，输入特性其实是输 入保护二极管的特性。输出特性：输入为高电平时，输出为低，N管导通，P管截止。 输出特性其实就是N沟道管的漏极特性曲线。输入为低电平时，输出为高，N管截止，P管导通。 输出特性其实就是P沟道管的漏极特性曲线，但要注意 VSDP与输出V0互补的，且有一个直流差VDD。（四）、电源特性 （自学）（五）、CMOS传输门 （模拟开关）传输门是一种可控制通断的门电路，理想的传输门在开通时，可以使信号不失真地通过门电路，而且是双向的；关闭时，门的两边是阻断的，没有通路。CMOS传输门是由P沟道和N沟道增强型MOS管并联 构成的（反相器是串联构成的）。 当然实际传输门的导通 时有1K左右的电阻，截止时电阻为 109 ?。电路如图：衬底反偏衬底反偏假设VI在0 ~ 5V之间变化，N管P管的开启电压分别为+1V和 1V。 ? C=0V，C=+5V时，两管均截止。 ? C=+5V C=0V 时，VI=0 ~ +4V区间，TN导通。VI=1 ~ +5V区间，TP导通。 （六）、CMOS逻辑门电路1、CMOS与非门、或非门上述两种CMOS门的缺点输出电阻不定：并联全通电阻为 1/2RON，串联全通为2RON，相差四倍。可改为：AB= A + B= A + B= ABA + B 2、三态输出CMOS门在普通门电路的基础上，增加使能控制电路。 3、漏极开路输出门（与TTL的OC门类似）（七）、CMOS电路的锁定效应由于CMOS电路同时使用N沟道和P沟道，在制作上产生了一个问题，就是附带地产生了许多寄生三极管：寄生三极管们连在一起，产生锁定效应，也称可控硅效应：当输入、输出电压高于VDD+VD或低于 — VD时，会形成电流自激现象，可能损坏电路。正反馈回路平时为V