SSD 存储颗粒对比.docxVIP

项目颗粒类型备注SLCMLCTLC名称单层式储存多层式储存三层式储存寿命350G每天可用5年20G每天可用5年2G每天可用5年MTBF2百万小时1.2百万小时1百万小时读性能540MB/S500MB/S250MB/S写性能250MB/S130MB/S50MB/S功耗2W2W2W重量2.5寸87克2.5寸87克2.5寸87克容量密度123以SLC为1SLC、MLC与TLC的简单区别SLC = Single-Level Cell，即1 bit per cell，只存在0和1两个充电值，结构简单但是执行效率高。SLC闪存的优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长。然而，由于每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，由于成本过高你基本上只会在高端的企业级SSD上见到它，流入到消费级平台上的基本都是非原封的。MLC = Multi-Level Cell，即2 bit per cell，有00,01,10,11四个充电值，因此需要比SLC更多的访问时间，不过每个单元可以存放比SLC多一倍的数据。MLC闪存可降低生产成本，但与SLC相比其传输速度较慢，现在大多数消费级SSD都是使用MLC做的。TLC = Trinary-Level Cell，即3 bit per cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，所需访问时间更长，因此传输速度更慢。TLC优势价格便宜，每百万字节生产成本是最低的，但是寿命短，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。TLC闪存的优劣势TLC闪存的优势是容量更大，成本更低，举例来说，同样的晶体管电路做成64Gb的SLC闪存，那么变成MLC、TLC闪存则可以得到 128Gb、192Gb的容量，这对厂商来说大大降低了成本。从结果上来看，各种闪存的物理结构是相同的，但是控制上一个比一个复杂，SLC每个Cell能储存1个数据，有两种电位变化，MLC每个Cell能储存2个数据，有四种电位变化，TLC每个Cell可以储存3个数据，有8种电位变化 ，MLC和TLC每个Cell单元中有多个信号，是通过控制不同的电压来实现的，施加不同的电压就会有更多的电位变化，NAND闪存单元就可以容纳不同的信号组合。最后说一下我们对TLC SSD的购买意见：对于TLC SSD，大家最担心的应该就是它的寿命，其实只要用的是原片TLC的话它的P/E还是有一定保证的，东芝的Q300和OCZ TRION 100用的还是更长寿稳定的企业级eTLC，三星的3D NAND寿命也比普通TLC长得多，所以并不需要太过在意SSD的寿命。至于性能方面，相信大家买TLC SSD都不是为了追求高性能，论性能TLC SSD大多数比不过用MLC的SSD，然而你拿去和HDD来比的话就不一样了，TLC SSD的性能再糟糕都比HDD要好得多，拿去替换龟速的HDD做系统盘是绝对没问题的。现在的各种TLC SSD单纯考虑性价比的话其实还是挺不错的，论价格的话TLC SSD确实可以做得很低，然而如果TLC SSD的价格和MLC SSD一样的话它就没有任何的优势，买它还不如直接去买MLC SSD得了。第 1 页 共 5 页