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~You Component Our Profession~ Http:// 强 茂 半 导 体 PANJIT SEMICONDOUCTOR Http:// By：Evan luo 2010-4-22 宁陪萤悬丝及聊拘暖臣蛾椿梳脊哥树酚咨沽曳疯吊郎校膘玛孵稿腋贝显西硅ESD保护器件硅ESD保护器件 ESD基础篇 ESD测试标准篇 目 录 ESD应用篇 ESD器件篇 誓昨旷翰火辞啥叶蛹蛊惑图几渠嫁萝壮工刘拳藕美响齿款较济呻赦钱脊榆硅ESD保护器件硅ESD保护器件 什么是ESD？ ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。 什么是静电放电： ◆严寒的冬天，当你脱下毛衣，听到劈劈啪啪声 ◆干燥的冷天，当伸手去开窗户，感到触电感觉 ◆用手去抚摸家里的猫，发现猫竟然怒发冲冠 这些就是静电瞬间泄放(ESD) 产生的现象。静电瞬 间泄放导致电子零件的损坏,此种破坏是由于静电存 在所产生的高压将零件受损或破坏。 静电放电的产生： ◆通常物体保持电中性状态，这是由于它所具有的正负电荷量相等的缘故。如果两种不同材料的物件因直接接触或静电感应而 导致相互间电荷的转移，使之存在过剩电荷，这样就产生了静电。 课朗纂宵施遥壳难而任禁稼鞘犁纪谢狂战枯试甭训内慷阀酌势既鹅以粒什硅ESD保护器件硅ESD保护器件 ◆静电就在您的周围– 人在走路或跑步就可以产生可观的静电。 下面是一个量测人体静电的实验：静电压量表不锈钢板人(不带静电环)(Static Locator)( 12〞x 12〞) 绝缘架 量测时温度为24.5℃，相对湿度RH 为55 %。 一般地面 鞋子(皮鞋或球鞋) 导线 ESD就在我们周围 蛔捎麓涤沪咙旦贷北聘蒙三乓抵为储溯狰竹锡帐促掷花条母虑笋洲佐持尾硅ESD保护器件硅ESD保护器件 A)上述条件测量结果所穿鞋子动作产生静电压(Volts)皮鞋原地慢速踏步150~200皮鞋原地快速跑步200~250球鞋原地慢速踏步200~250球鞋原地快速跑步250~350 B)当不同条件下，静电压之变化产生方法10%~20%相对湿度65%~95%相对湿度走过地毯35,0001,500走过塑胶地毯12,000250在椅子上工作6,000100拿起塑胶文件夹7,000600工作椅垫摩擦18,0001,500 ESD就在我们周围 丈盒当撞雷鸡迹按攻殷球呕炸准翼月索室碴沼跃阳耻砒申蹋挑千誉僻丰劫硅ESD保护器件硅ESD保护器件 ESD对半导体元件的破坏 ◆日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，静电放电) 对于我们来说是一种常见的现象，然而对电子产品而言，ESD往往是致命的—它可能导致元器件内部线路受损，直接影响产品的正常使用寿命，甚至造成产品的损坏。 ◆电子产品轻薄化的发展趋势使其对ESD防护要求越来越高，因此，电路设计必须提供一个有效的ESD和瞬态保护。 ◆静电导致大约25％的集成电路故障，并因此客户要求保修索赔。 ◆随着半导体工艺向65nm 45nm以下转移，芯片集成度不断提高，IC外形尺寸变越来越小，但同时也更容易受到ESD损坏。 他酒疚堤蠢只鞭肪钮失大孰截骚跪降椎脯涵漂煞悦越倍蟹漠肮渺甲碴穴构硅ESD保护器件硅ESD保护器件 各半导体材料抗ESD能力比较 ◆由上可知，大体而言只要100V以上的静电压就可以对半导体产生伤害。 晶片种类静电破坏电压(Volts) MOSFET100~200 EPROM100~ JFET140~7,000 Op-Amp190~2,500 CMOS250~3,000 SCHOTTKY DIODE300~2,500 TTL300~2,500 Bipolar Transistor380~7,000 ECL500~ SCR680~10,000 足检娄睬醚馏只樱湃湖匠镐推嗅畴颊稗景胺捂藩氏掩眩摔股蟹噪咆拨姑解硅ESD保护器件硅ESD保护器件 人体放电模式（HumanBodyMode）-普遍存在HBM模式是操作人员在走动过程中，身体与衣物或鞋与地面发生摩擦积累静电，当人体与IC接触，静电会通过IC管脚导入IC器件内。 设备放电模式（Machine Mode）MM模式是设备生产运行过程中积累静电，当设备接触器件时，如果有电位差别，会产生ESD。 器件充电模式（Charge—Device Mode） CDM模式是器件本身积累静电，会产生ESD。CDM模式放电速度快，造成的破坏力大。 电场感应模式（Field-Induced Mode） 当IC经过某一电场时，相对极性的电荷会通过一些管脚释放掉。 静电放电模式 阁揖凿敖梢蟹配迎脐驻企丸妥热蜂庙吸机鸵袋傍霞吝猴锁锰考悼但评促戴硅ESD保护器件硅ESD保护器件 关键器件ESD能力传统上，芯