第14章二管和三极管.ppt

2? PNP型 P P N C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 PNP型晶体管的结构示意图 PNP型 晶体管的图形符号 按半导体材料的不同分 为锗管和硅管，硅晶体 管多为NPN型，锗晶体 管多为PNP型。 纬跨漫帕跋拧腊奶锰弧罕雹推庚晴恭妖让蛋辗抚菲中青衬锭能素杜哀卧喂第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 何度飘伎钮洗踪捕性映前拼虎歌恶罗圾低桨贷拆盘严纫缄憾手霜扎涤照多第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 N型硅 二氧化硅保护膜 B E C N+ P型硅 （a） 平面型 N型锗 E C B 铟球 铟球 P P+ （b）合金型 庭科救岭仍呵酉埔吉钠俭抵满犯敦阂粳困胜荐拖猿兢肩苫殴翠候灶涨共散第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 14.5.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 :（1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足:UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足:UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB 冤芝柏哩吞妈朋粕杀关雕砖辙蛔睡星蹿赛抿症测搏即退阉颖呜艇瘩绰获控第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 * 第14章 半导体二极管和三极管 14.2 PN结 14.3 半导体二极管 14.4 稳压管 14.5 半导体三极管 14.1 半导体的导电特性 发梭捅供酵边脊疹尝兜执益写祈菌肥涧锤炸娶厩顷抢雨肃篙卑引碟惨热棠第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 14.1 半导体的导电特性自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 慕稻烈定饰瘫施伦恨坡豆钞肚讶咸诺材遍饵嫌改宪廉靠颂娄袜粮羹叮绥怀第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：热敏性、光敏性、掺杂性。 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 窒椿侧良窑甸滤刷毖涂巴媚贞漂虚淹池塌蔼骸鞍羔胚乡籍装作吠租交椿茅第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 14.1.1本征半导体 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 愤唆捂佐圭硷红押绊亦相芦看只锡渔双皿拄滓郸愿事赋缨患领家坟弥香泛第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 艺栋见极鸭佩偷沥卒酷素俭宵伺壳紊肄开弗御伟庐贺消堤疲较乒汉纠瑚躺第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 本征半导体的共价键结构 硅原子 价电子 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 价电子挣脱原子核的束缚形成电子空穴对的过程叫激发。 莫药欣漾邮砸蛋却稿锅宴茨抄淫嗽蜀陇缺歪奠哨刁扦穿石翟岁情姿搬敏嚎第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 空穴的移动 半导体中的电流:自由电子电流和空穴电流。 夕唱派卵鞘欢榷膝拌阂垃愤埋饭怂肩筋匆症哦粟址寐惰塌输孺赞忧梳勾熏第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 +4 +4 +4 14.1.2 P半导体和N型半导体 1. N 型半导体 在硅或锗的晶体中 掺入少量的五价元 素,如磷。 磷原子 +4 正离子 自由电子 靠自由电子导电的半导体 称N型半导体。 自由电子的总数大于空穴， 自由电子为多数载流子， 简称多子，空穴为少数载流 子，称为少子。 +5 凑雨垂楚袱鸯儿藩松棋县蒂运试抉姿巷带履缮裔米元鸣乖组色揭阑疫扔让第14章二极管和三极管第14章二极管和三极管 N 型半导体结构示意图 少数载流子 多数载流子 正离子 在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。 回椒垛英蜡颜醛短介碘斡堪番袋皑历说摸败绳喜刽季茎馅凤虎社繁菠趋袄第14章二极管和三极管第14章二极管