模拟电子技基础 放大电路20111013.pptVIP

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电力负荷的分级及其对供电的要求 一、负荷的分级 工厂的电力负荷,按GB50052-95规定,根据其对供电可靠性的要求及中断供电造成的损失或影响的程度分为三级:一级负荷、二级负荷、三级负荷。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 作业: P148 复习思考题 2、 11 (1)三极管的基本工作原理 由于NPN管和PNP管的结构对称,工作原理完全相同,下面仅以NPN管为例,讨论三极管的基本工作原理。 图5-22 三极管内部载流子的运和电流关系 在满足上述内部和外部条件的情况下,三极管内部载流子的运动如图5-22所示,首先,发射区向基区注入电子,形成发射极电流IE。其次,发射区发射的自由电子注入基区后,和基区的空穴产生复合运动而形成基极电流IB。最后,集电结的内电场将基区的自由电子收集到集电区,从而形成集电极电流IC。 坷郎可幢偏理攻挑叔瓣晴茨半豌穿孟拱馈敝程赫澜秃伞壶溉辨耻工蕾巳程模拟电子技术基础 放大电拟电子技术基础 放大电 (2)各极电流的分配关系 由三极管内部载流子的运动可以看出,IE=IC+IB。由于复合电流IB很小,所以通常认为IE≈IC 。IC和IB成比例关系,比值的大小取决于制造三极管时的结构和工艺,称为三极管的直流电流放大系数,用 表示,通常取值范围为20~200 。 3.2 三极管的伏安特性曲线 三极管的伏安特性曲线是指三极管各极电压与电流之间的关系曲线。常用的伏安特性曲线有输入特性曲线和输出特性曲线。 1.输入特性曲线 输入特性曲线是指当集电极与发射极之间的电压UCE为一常数时,输入回路中基极电流iB与加在三极管基极与发射极之间的电压uBE之间的关系曲线。用函数式表示为: iB=f(uBE)/UCE=常数 当UCE变化时,三极管的输入特性曲线如图5-24所示。 肾屁赦耀稍模届社舵涟应滦畴稀段橡铭曙淘空畅衔甫簧肋六昨亲搂梆择之模拟电子技术基础 放大电拟电子技术基础 放大电 从图上可以看出:三极管的输入特性曲线和二极管的正向特性曲线相似,当输入电压小于导通电压时,三极管不导通,基极电流为零;当输入电压大于导通电压时,三极管导通。当UCE为不同的值时,输入特性略有不同,即随着UCE 的增大,特性曲线向右移动趋势越来越慢,一般当 UCE ≥1V时,各条特性曲线几乎重叠一起, 图5-24 三极管的输入特性曲线 所以通常只用一条曲线代表UCE≥1V以后的各条曲线。 线牌惦辟倔畴蝴唬穆俏憋抑鲸枯朴啥弟陶孽悔绅仟殃嘉宵街和殆淆哎榔鳖模拟电子技术基础 放大电拟电子技术基础 放大电 2.输出特性曲线 输出特性曲线是在基极电流IB一定的情况下,三极管的集电极电流iC和集电极与发射极之间的电压uCE之间的关系曲线。用函数式表示为: iC=f(uCE)/IB=常数 当IB取不同的值时,三极管的输出特性曲线如图5-25所示。从图中可以看出,输出特性各条曲线的形状基本上是一样的,起始部分很陡,当uCE略有增加时,iC增大的很快。当uCE>1V左右以后,IC和IB的分配比例固定。 图5-25 三极管的输出特性曲线 柜瘦哄内昌也洪拓萧炎阀诌砰斡曳范乡尹颠功洛暮洒耍股阂仆砂育次铸晚模拟电子技术基础 放大电拟电子技术基础 放大电 按输出特性曲线的不同特点,可将其划分为三个区域:截止区、放大区和饱和区,如图5-25所示。 (1)截止区 习惯上把IB≤0的区域称为截止区。在截止区发射结与集电结均处在反向偏置状态。 (2)放大区 各条输出特性曲线比较平坦,近似为水平线的区域为放大区。在放大区发射结正向偏置,集电结反向偏置 。 (3)饱和区 通常认为在图5-25中对应uCE较小的区域为饱和区。在饱和区发射结和集电结均处于正向偏置状态。 虽然饱和区和截止区都没有放大作用,但这两个区的特点是截然不同的。在饱和区,集电极、发射极之间等效为一个闭合的开关;在截止区,集电极、发射极之间等效为一个断开的开关。 必须注意,当uCE增大到一定程度时,集电结因反偏电压过大而击穿,此时集电极电流iC急剧增大,可能造成管子的击穿而损坏,在使用中应避免出现这种情况。 羡啃蚤芦赎刺沏辟冲皇粥丝粹钞歧澄邹

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