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1、什么是电力电子技术 电力电子与信息电子 电力电子两大分支 电力电子地位和未来 IGBT耐压可达2500~3300V，耐流可达800~1800A，明显高于MOSFET。 IGBT开关频率可达10~40KHZ，高于BJT。 IGBT广泛用于中小功率，尤其在PWM控制的电力电子装置中占据重要地位。 由此我们可以看出：GTO关断很容易，因为具备了一切的有利条件，关断的过程为： GTO关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。 2. GTO的主要参数 —— 延迟时间与上升时间之和。延迟时间一般约1~2?s。 —— 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间。GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2?s。 关断时间toff 开通时间ton 3) 最大可关断阳极电流IATO 电流关断增益?off ——GTO额定电流。 ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。 ?off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A 。 GM ATO off I I = β 术语用法： 电力晶体管（GTR，巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT） 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，耐压和耐流可达1.5KV,1KA, 可在10KHZ以内开关频率下工作。现商品化的GTR耐压、耐流不超过1200V，800A。 2.4.2 电力晶体管— 全控型、电流型、双极型器件 1. GTR的结构和工作原理 开通条件：Uce正偏，提供基极电流。 关断：I b小于等于零。 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 2. GTR的基本特性 (1)? 静态特性 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区 3. GTR的主要参数 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo（基极开路时集电极和发射极间的击穿电压）低得多。 2)?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE （直流电流放大系数） ≈β下降到规定值的1/2-1/3时所对应的Ic。实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿 集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿 一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降。 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 安全工作区（Safe Operating Area——SOA） 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类： 2) 电压驱动型 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制 1) 电流驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为三类： 2) 双极型器件 3) 复合型器件 由一种载流子参与导电的器件 1) 单极型器件 由电子和空穴两种载流子参与导电的器件 由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型及典型应用 2.2 不可控器件—电力二极管 1. 正向平均电流IF(AV) 额定电流——在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 2.2.3 电力二极管的主要参数 2. 正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降。 3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 4. 浪涌电流IFSM 指电力二极管