第一章 集成电路的基本制造工艺41424.pptVIP

第一章 集成电路的基本制造工艺 半导体制造工艺分类 一 双极型IC的基本制造工艺： A ） 在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、 介质隔离及PN结介质混合隔离） ECL（发射极耦合逻辑电路） TTL/DTL ，STTL B） 在元器件间自然隔离 I2L（集成输入逻辑电路） 半导体制造工艺分类 二 MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 铝栅工艺 硅栅工艺 其他分类 （根据沟道） PMOS、NMOS、CMOS （根据负载元件）E/R、E/E、E/D 半导体制造工艺分类 三 Bi-CMOS工艺： A 以CMOS工艺为基础 P阱，N阱 ，双阱 Bi-CMOS工艺 B 以双极型工艺为基础 双极型集成电路和MOS集成电路优缺点 双极型集成电路 速度高、驱动能力强、模拟精度高、功耗比较大 CMOS集成电路 低的静态功耗、宽的电源电压范围、宽的输出电压幅度（无阈值损失），具有高速度、高密度潜力；可与TTL电路兼容。电流驱动能力低 1. 双极集成电路的基本制造工艺 双极集成电路的基