第1章常用半导体器件方案.ppt

半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.1.1 导体、绝缘体和半导体 自然界中的物质按导电性能可分为导体、绝缘体和半导体。 半导体是制造电子器件的主要材料，在于它具有如下性质： 热敏性：导电性能受温度影响很大，可制成热敏电子元件； 光敏性：导电性能受光照射强度的影响很大，可制成光敏电子元件； 掺杂性：通过掺入其他微量元素物质，可以非常显著地提高其导电性能。 图1.1.6 PN结加正向电压时导通 图1.1.7 PN结加反向电压时截止 二.光电二极管与发光二极管 1.4 三极管的结构及类型 1.5 场效应管 1.5. 2 MOSFET 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC 1. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IEN。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) IEP IEN 2. 三极管的电流分配关系 IC 3. 三极管的电流放大 基区很薄，掺杂很低，因此IB很小，发射区注入到基区的电子绝大多数被集电区收集，获得很大的IC，因此实现小的IB控制大的IC的电流放大作用。 分析可知，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。 4. 电流放大系数 ①共射直流电流放大系数 ②共射交流电流放大系数 ③共基直流电流放大系数 ④共基交流电流放大系数 ⑤ 和 的关系 1.4.4 三极管的特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时 vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 图 vCE = 0V vCE = 0V vCE ? 1V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ③线性区 ②非线性区 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏 iC=f(vCE)? iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， 发射结反偏,集电结反偏. 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 截止区 放大区 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 放大区： 放大区 截止区 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 ICEO ?iB ?iC 3、温度对特性曲线的影响 1). 温度升高，输入特性曲线向左移。 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 温度每升高 10?C，ICBO 约增大 1 倍。 O T2 T1 2). 温度升高，输出特性曲线向上移。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 温度每升高 1?C，? ?(0.5 ? 1)%。 输出特性曲线间距增大。 O 1.4.5 三极管的主要参数 晶体三极管的主要参数有三类：电流放大系数、极间反向电流和极限参数。 1．电流放大系数：表征三极管电流放大能力的参数。 由α和β的定义及三极管的电流分配关系，可得 2．极间反向电流：表征管子工作稳定性的参数。 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO 指发射结开路时，集电结的反向饱和电流。 ② 集电极-发射极反向饱和电流ICEO 指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。 ICEO 与ICBO 之间的关系为 3．极限参数：表征三极管安全工作要求的参数 ① 集电极最大允许电流ICM 指三极管共射电流放大系数β下降到正常值的2/3 时，集电极的电流IC ② 集电极最大允许功耗PCM 指集电结