《集成电路工艺项目实训报告》.docVIP

目 录 第一章 Silvaco TCAD软件 2 1.1 Silvaco TCAD软件概述 2 1.2 Athena工艺仿真流程 2 1.3 ATLAS器件仿真器概述 3 第二章 NMOS管介绍 3 2.1 NMOS管的基本结构 3 2.2 NMOS管的工作原理 4 2.3 NMOS器件仿真器的基本工艺流程 4 第三章 NMOS实训仿真 4 3.1 器件仿真剖面图及其参数提取 4 3.1.1 器件剖面图 4 3.1.2 抽取器件参数提取 5 3.2 栅极特性曲线输出以及I/V输出曲线 6 3.2.1 栅极特性曲线 6 3.2.2 I/V输出曲线 7 3.3参数变化对器件的影响 7 3.3.1改变阱浓度所得器件结构及曲线 7 3.3.2改变快速热退火温度的影响 8 3.3.3改变调整阈值电压的注入浓度的影响 9 3.3.4改变源/漏浓度所得的器件结构及曲线 10 3.4参数对器件影响实验结论 11 第四章 实训总结 12 附录： 13 1.剖面图程序 13 2.输出栅极特性曲线 16 3.输出曲线组 17 参考文献 18 第一章 Silvaco TCAD软件 1.1 Silvaco TCAD软件概述 用来模拟半导体器件电学性能，进行半导体工艺流程仿真，还可以与其它EDA工具组合起来使用(比如spice)，进行系统级电学模拟。 SivacoTCAD为图形用户界面，直接从界面选择输入程序语句，非常易于操作。其例子教程直接调用装载并运行，是例子库最丰富的TCAD软件之一。Silvaco TCAD平台包括：工艺仿真(ATHENA)、器件仿真(ATLAS)、快速器件仿真(Mercury)。 1.2 Athena工艺仿真流程 图1-1 Athena工艺仿真流程 1.3 ATLAS器件仿真器概述 图1-2 ATLAS器件仿真器概述 第二章 NMOS管介绍 2.1 NMOS管的基本结构 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。它的栅极与其它电极间是绝缘的。 vGS=0 的情况增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。 vGS0 的情况若vGS0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层便产生一个电场。电场方向垂直半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个电场能排斥空穴而吸引电子。 排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。 当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现， vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层。vGS越大，作用半导体表面的电场就越强，吸引P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。 图3-1 器件剖面图 3.1.2 抽取器件参数提取 a.抽取结深： Extract name=“nxj”xj silicon mat.occno=1x.val=0.1 junc.occno=1 b.N++源/漏极薄层电阻 Extract name=n++ sheet rho sheet.res material=Silicon mat.occno=1 x.val=0.05 region.occno=1 c.测量沟道阈值电压 Extract name=n1dvt 1dvt ntype vb=0.0 qss=1e10 x.val=0.49 在这条extract语句中，1dvt指测量一维阈值电压；ntype指器件类型；x.val=0.49为器件沟道内一点；qss=1e10指浓度为1e10cm-3的表面态电荷；vb=0.0栅极偏置0V。 d.沟道表面掺杂浓度 Extract name=chan surf conc surf.conc impurity=Net Doping \ material=Si