模拟电子技术及应用第1章 半导体二极管及其应用.pptx

本章小结教学目标了解杂质半导体与PN结的基本知识。了解二极管的结构，熟悉其电路符号、单向导电性，理解二极管的伏安特性及主要参数，掌握其应用。熟悉稳压二极管的电路符号、工作特点及应用。了解发光二极管、光电二极管和变容二极管的电路符号、工作特点及其应用。学会二极管识别与检测的基本方法，了解二极管的使用知识。引言半导体导电特点半导体二极管简称二极管半导体——导电能力介于导体与绝缘体之间的物质，常用于制造半导体器件的材料为硅（Si）、锗（Ge)等。二极管分类常温下导电能力很差对温度、光照敏感掺杂可控制其导电能力本章重点普通二极管：整流、检波、开关二极管等特殊二极管：稳压、发光、光电、变容二极管等二极管的伏安特性、单向导电性、基本应用；特殊二极管的特点、基本应用。1.1　二极管的结构、特性及其基本应用 1.1.1 二极管的结构与类型一、结构与符号构成PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管空间电荷区正极负极内电场二、二极管的类型按材料分硅二极管、锗二极管分类按结构分点接触型、面接触型、平面型按功能分普通二极管、特殊二极管空穴+4+4+4+4空iGe价电子+4惯性核知识拓展1、本征半导体本征半导体 —纯净的单晶半导体。如硅、锗单晶体。载 流 子 —自由运动的带电粒子。共 价 键 —相邻原子共有价电子所形成的束缚。硅(锗)的原子结构硅(锗)的共价键结构自由电子简化模型(束缚电子)空穴可在共价键内移动两种载流子两种载流子的运动电子(自由电子)带负电自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动空穴带正电 结论：（1）本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； （2） 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； （3） 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。+4+4+4+4+3+4+5+4+4+4+4+42、 杂质半导体N 型半导体和 P 型半导体P 型N 型硼原子空穴磷原子自由电子空穴 — 多子电子为多数载流子电子 — 少子空穴为少数载流子受主原子受主离子施主离子施主原子载流子数 ? 空穴数载流子数 ? 电子数+–正离子负离子多数载流子少数载流子多数载流子少数载流子杂质半导体的导电作用II = IP + INIPINN 型半导体 I ? INP 型半导体 I ? IPP 型、N 型半导体的简化图示3、 PN 结PN 结(PN Junction)的形成（1） 载流子的浓度差引起多子的扩散内建电场(耗尽层)（2） 复合使交界面形成空间电荷区 空间电荷区特点:无载流子，阻止扩散进行，利于少子的漂移。（3）扩散和漂移达到动态平衡扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。P 区N 区限流电阻IRIFP 区N 区R内电场 ? +外电场+? URUPN 结的单向导电性（1）外加正向电压(正向偏置)扩散运动加强形成正向电流 IF 。外电场使多子向 PN 结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄。IF = I多子 ? I少子 ? I多子内电场外电场（2） 外加反向电压(反向偏置)漂移运动加强形成反向电流 IR外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。IR = I少子 ? 0PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。1.1.2 二极管的特性及主要参数一、二极管的单向导电性允许一个方向电流流通的特性称为单向导电性（1）外加正向电压(正向偏置)（2） 外加反向电压(反向偏置)正向导通，呈小电阻，电流较大。反偏截止，电阻很大，电流近似为零。iD /mAuD /VO二、二极管的伏安特性曲线1、正向特性0 ? uD ? Uth iD = 0正向特性IS-U (BR)Uth = 0.5 V(硅管)Uth反向击穿 0.1 V(锗管)反向特性uD ? UthiD 急剧上升死区电压UD(on) = (0.6 ? 0.8) V硅管 0.7 V锗管 0.2 V(0.1 ? 0.3) V2、反向特性U(BR) ? uD ? 0 iD = IS 0.1 ?A(硅) 几十 ?A (锗)3、反向击穿特性uD U(BR)反向电流急剧增大(反向击穿)反向击穿类型：电击穿— PN 结未损坏，断电即恢复。热击穿— PN 结烧毁。反向击穿原因： 齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，负温度系数)反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。雪崩击穿：(击穿电压 6 V，正温度系数)击穿电压在 6 V 左右时，温度系数趋近零。iD / mAiD / m50–25– 50– 250.400.80uD / VuD / V0.20.4–0.01– 0.02–0.02– 0.044、硅管与锗管特性比较：UthUthIsIs硅管的伏安特性