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3.4.2实验三测试结果 实验 6_1 6_2 6_3 原工艺 注释： 原工艺没有SiNx膜的上下之分，也就是说薄膜均有相同的Si/N比例，选择的流量为：SiH4 440SCCM，NH3 1520SCCM，折射率为2.065。 流量下 NH3 1450 1500 1600 \ SiH4 550 500 400 \ 流量上 NH3 1520 1520 1520 \ SiH4 480 480 480 \ 薄膜下 厚度 41 41 41 \ 折射率 2.185 2.111 2.04 \ 薄膜上 厚度 41 41 41 \ 折射率 2.065 2.065 2.065 \ 实验 实验6-1 实验6-2 实验6-3 AVE/MED AVE MED AVE MED AVE MED Pmpp 3.9225 3.9216 3.9143 3.9157 3.9076 3.9068 Uoc 0.6167 0.6165 0.6159 0.6162 0.6166 0.6162 Isc 8.3071 8.3170 8.2881 8.2898 8.2808 8.2840 FF 76.5652 76.5935 76.6759 76.7233 76.5241 76.6302 NCell 0.1612 0.1611 0.1608 0.1609 0.1606 0.1605 臻托叙瞎娇廓堪襄秩净掉凛仪秽侨庙唾茹止瘤减紊建场猜杜燃亥姜善片缩太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD PECVD阶段工艺调试总结 zhaokexiong@ zhao 摈靠篱限乡敬酮铃曰差贼厢骡膀癸痹重鞍史棒烘危母蕉稚液鸣蜡碘毅硒葵太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD 主要内容 1、引言 2、SiNx的折射率与膜厚研究 3、SiNx的钝化效果研究 4、管式PECVD和板式PECVD的对比 5、后期实验计划 天巩春赤徊票佃兜鹃皂骤玻佛丙考纯届间按滇境谆径懊泡峻白苞痛指宫积太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD 1.引言 在工艺调试的第一阶段主要对设备的结构、参数及维护等进行了学习和调试，第二阶段则在第一阶段的基础之上对薄膜的折射率、膜厚及钝化进行了较为详细的研究，此外对比了板式和管式PECVD的镀膜效果。 在工艺调试之前必须明白好的氮化硅薄膜应具有哪些特点，概括起来主要有以下三点： ◆ 无吸收的减反射层； ◆ 好的表面钝化效果； ◆ 好的体钝化效果。 在知道了工艺调试的目标后，还应该理清影响氮化硅薄膜的各个因素。板式PECVD的影响因素分工艺参数和外部环境及认为因素，它们对SiNx膜的厚度、折射率和钝化效果均有一定程度的影响，详见图1-1。 哺牙率府啥妈伍墅燕厘宅艰下诅后露浴公酷冤恋娟捶符毗勒酥产炸农氯娱太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD 味诣旁飘卫讳斡烧发构刘爬只方额散甲棒咳馈阑忻豪菲咙运盾俭艘泄竟左太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD 2. SiNx的折射率与膜厚研究 2.1 实验设计 2.2 试验结果与分析 2.3 薄膜厚度对反光率及电池片光电性能的影响 袒坎盆风欠寻嘲糙搓冶员砚涵否券莎惑漱正裔邪银席弦鲁蹲漓耙菱掌凭瞪太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD 2.1 实验设计 实验已经表明薄膜厚度及折射率的主要影响因素分别是载板速度和气流量比，但是别的因素的影响规律尚不清楚，因此实验主要考查温度、硅氮比、压力和微波功率对折射率和膜厚的影响。实验设计采用DOE正交法，详见表2-1。实验为4因子2水平，按照DOE设计原理，需要做2^N-1组实验，也就是8组，考虑到实验的重复性及需要加入的中心点个数，实验总计要进行18组。 揉业魔诗员剧槛萤睫壳爪蜗耶聘蔡次叭浆恢迸钮实凉费叙馋藻劣阅韭娜蔡太阳电池阶段工艺总结_PECVD太阳电池阶段工艺总结_PECVD 导电浆料的基本组成 表2-1 正交实验设计 标准序 11 1 14 15 17 18 7 3 9 4 2 8 16 13 6 10 12 5 运行序 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 中心点 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 区组 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Temperature 350 350 400 3