集成电路基本工艺.pptVIP

* 接触式曝光方式的图象偏差问题 原因:光束不平行，接触不密有间隙 举例:， y+2d10?m, 则有 y+2dtg?0.5?m 图 3.9 * 掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 掩膜本身不平坦， 晶圆表面有轻微凸凹， 掩膜和晶圆之间有灰尘。 * 接触式曝光方式的掩膜磨损问题掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。 * 非接触式光刻 1.接近式接近式光刻系统中，掩膜和晶圆之间有20?50?m的间隙。这样，磨损问题可以解决。但分辨率下降，当????时，无法工作。这是因为，根据惠更斯原理，如图所示，小孔成像，出现绕射，图形发生畸变。 图 3.10 * 缩小投影曝光系统 2.投影式工作原理: 水银灯光源通过聚光镜投射在掩膜上。 掩膜比晶圆小，但比芯片大得多。在这个掩膜中，含有一个芯片或几个芯片的图案，称之为母版，即 reticle。 光束通过掩膜后，进入一个缩小的透镜组，把 reticle 上的图案，缩小5~10倍，在晶圆上成像。 * 缩小投影曝光系统示意图 图 3.11 * 缩小投影曝光系统的特点 由于一次曝光只有一个Reticle上的内容，也就是只有一个或几个芯片，生产量不高。 由于一次曝光只有一个或几个芯片，要使全部晶圆面积曝光，就得步进。 步进包括XY工作台的分别以芯片长度和宽度为步长的移动和Reticle内容的重复曝光。 投影方式分辨率高，且基片与掩膜