太阳能电池艺知识简介.docVIP

工序知识概要 在整个晶体内,原子都是周期性的规则排列,称之为单晶.由许多取向不同的单晶颗粒杂乱的排列在一起的固体称为多晶. 工序流程::装片-清洗-制绒-清洗-甩干-扩散-等离子刻蚀-去磷硅玻璃-甩干-镀膜-丝印-烧结-分类检测 清洗 利用氢氧化钠对多晶硅腐蚀的各向异性,争取表面反射率较低的表面结构. 单晶主要化学品:NaOH NaSiO3 HF HCL 异丙醇 多晶主要化学品：咯酸 HF HCL 化学腐蚀的原理 热的NaOH溶液祛除硅片表面机械损伤层: Si+2NaOH+H2O====Na2SiO3+2H2 HF祛除硅片表面氧化层 SiO2+6HF=====H2[SiF6]+2H2O HCL祛除硅片表面金属杂质 盐酸具有酸和络合剂的双重作用,氯离子能与Pt2+ Au3+ Ag+ Cu+ Cd2+ Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物 现有多晶硅片是又长方体晶锭在多线切割锯切成一片片多晶硅方片,由于切片是钢丝在金刚砂溶液作用下多次往返削切成硅片,金刚砂硬度很高,会在硅片表面带来一定的机械损伤. 如果损伤不祛除,会影响太阳电池的填充因子. 硅片扩散前的清洗腐蚀工序标准工时:44分钟 绒面的作用 为了提高单晶硅太阳电池的光电转换效率,工业生产中通常采用碱与醇的混合溶液对晶面的单晶硅片的各项异性腐蚀在表面形成类似”金字塔”状的绒面