霍尔传感器项目交流报告.ppt

* 3 .兰吉尔电表（Landis+Gyr??E450 ）磁路设计 Landis+Gyr??E450磁路设计结构为将霍尔芯片嵌入到一个卡槽中，卡槽起到聚磁作用，并且在霍尔芯片的表面有一块金属片起到对芯片的保护作用。可以说Landis+Gyr??E450是Landis+Gyr Domestic磁路设计的升级，结构更加巧妙。具体结构如下图所示： * 前期工作 * 五、市面上的霍尔芯片 5.1 A1326线性度漂移 前期工作 * 5.2 A1326温度特性曲线 市面上霍尔芯片分析 * 5.3 市面典型芯片特性 供应商 传感器参数 燦瑞orient半导体公司(OCH1900) 英飞凌infineon半导体公司(TLE4997) Allegro半导体公司 （A1326） Allegro半导体公司 （A1363） SIEMENS TD-3511 用霍尔传感器（燦瑞测） 工作电压（ 4.5-6 4.5-5.5 3-5.5 4.5-5.5 3-5.5 线性度 5% 0.6% 1.5% 0.5% 1.63% 温漂 1000ppm/℃ 1000ppm/℃ 300ppm/℃ 2% 1.88% 灵敏度 1.4 300mv/mT 2.5mv/G 1.5/3