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IGBT器件培训 目录 一、IGBT概述; 二、IGBT器件分类; 三、IGBT主要电气参数和特性； 四、IGBT器件选用； 五、IGBT失效分析； 六、业界发展趋势； 一、IGBT概述 2、IGBT基本结构 一、IGBT概述 3、IGBT主要特点 双极型器件，少子参与导电。空穴电流占总电流的20～25％(NPT)。 由于少数载流子注入的基区调制效应，正向饱和压降（类似于MOSFET的导通电阻）不再明显受到耐压的影响。在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力； 同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于MOSFET，因而具有成本优势； 具有MOS栅控制结构，驱动与MOSFET类似； 关断时由于少数载流子存储效应，存在电流拖尾，关断损耗较高；也限制了使用频率（一般不高于200KHZ）； 由于没有自身的体二极管，应用中需配合反并二极管用以续流，同时限制反向电压。多数产品内部已集成封装了此反并二极管。 一、IGBT概述 4、IGBT主要应用范围 二、IGBT分类 1、按电压等级划分 300，600，900，1200，1700，3300，6500V，等 二、IGBT分类 2、按芯片技术划分 二、IGBT分类 二、IGBT分类 NPT(Non Punch Through) 二、IGBT分类 FS-NPT(Field Stop NPT) 二、IGBT分类 3、按栅结构划分 二、IGBT分类 4、按封装划分： （1）单管分立器件：TO-220, TO-247, TO-MAX等； 二、IGBT分类 （2）模块：提供绝缘功能，3KV以上（安规认证，UL）。 绝缘材料： Al2O3、AlN、AlSIC、BeO等 （一般工业用器件采用Al2O3、AlN，而航空用器件采用AlSiC材料） 二、IGBT分类 A、有铜底板（Copper Baseplate）的模块 DCB的底部被焊接在约3mm厚的铜底板上 二、 IGBT分类 B、无铜底板的模块： 二、 IGBT分类 5、按照内部拓扑划分： 二、 IGBT分类 IPM（ Intelligent Power Module ） 三、IGBT主要电气参数和特性 1、实际结构（NPT）及其等效电路 三、IGBT主要电气参数和特性 三、IGBT主要电气参数和特性 3、集电极－发射极击穿电压Vces（BVces） Vge=0V时的最大C-E极直流电压，对应于pnp晶体管的Vcer。 三、IGBT主要电气参数和特性 4、集电极电流Ic 三、IGBT主要电气参数和特性 5、集－射极饱和电压Vce(sat) IGBT饱和导通时通过额定电流的集－射极电压，它是Tj、Ic和Vge的函数，表征器件的通态损耗。 三、IGBT主要电气参数和特性 6、开关时间及开关能量 例：SKM100GB124D的开关时间及开关能量 三、IGBT主要电气参数和特性 通常测量电路 三、IGBT主要电气参数和特性 开关时间定义 三、IGBT主要电气参数和特性 Eon(Eoff)和电流以及栅极电阻的关系 三、IGBT主要电气参数和特性 7、安全工作区 （1）正偏安全工作区（FBSOA） 三、IGBT主要电气参数和特性 (2) 反偏安全工作区（RBSOA） 三、IGBT主要电气参数和特性 （3）短路安全工作区（SCSOA) 三、IGBT主要电气参数和特性 8、结电容 三、IGBT主要电气参数和特性 9、閾值电压Vge(th)和栅电荷Qg 三、IGBT主要电气参数和特性 10、反并联二极管参数 三、IGBT主要电气参数和特性 11、热阻参数 三、IGBT主要电气参数和特性 12、绝缘耐压和机械参数 绝缘耐压： 机械参数： 四、IGBT选用 1、何时应选用IGBT？ 四、IGBT选用 2、主要供应商 四、IGBT选用 3、IGBT驱动 IGBT的驱动方式从易到繁分直接驱动、电流源驱动、双电源驱动、隔离驱动（又分变压器隔离与光电隔离）、集成模块式驱动，在需要有延迟开通功能时多采用光电隔离驱动或集成模块驱动方式。综合起来、驱动设计的一般要求有以下几点： 四、IGBT选用 通常驱动电路必须提供正栅压＋15V，关断负栅压-2～10V； 栅极驱动电路必须能够传送一个与总的栅极电荷乘以开关频率相等的平均电流，它也必须能够传送2到3A的峰值电流。同时能输出用于关断的负电平； 为使瞬变和振荡减到最小，应在栅极串联一个低值的电阻（几Ω到几百Ω不等，见厂家推荐的数值或图表）； 栅－发射极之间应设计齐纳二极管，并尽可能近地同该器件相连； 驱动电路布线必须采用适当的接地，驱动电流导线尽可能短； 避免主