1.3 半导体三极管R2.ppt

模拟电子技术基础 信息科学与工程学院·基础电子教研室 五、 稳压二极管及应用 稳压管的符号 3. 稳压管的稳压条件 必须工作在反向击穿状态； 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。 【 】 内容回顾 1.3.1 晶体管的结构和类型 基区 发射区 集电区 发射结 集电结 发射极 基极 集电极 b e c 【 】 内容回顾 §1.3 双极型晶体管 PNP型 注意：NPN型与PNP型三极管符号的区别 【 】 内容回顾 NPN型 发射极箭头的方向 为射极电流的方向 1.3.2 晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件: 共射放大电路 发射结: 正向偏置 晶体管的放大作用: 小的基极电流可以控制大的集电极电流 集电结: 反向偏置 N N P 1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC 一、晶体管内部载流子的运动 IB IC 晶体管的电流分配关系 共射直流电流放大系数 晶体管的电流分配关系 共射直流电流放大系数 共射交流电流放大系数 通常认为： 晶体管的电流分配关系 IB IC IE IB IC IE 1.3.2 晶体管的电流放大作用 晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。 【 】 内容回顾 1. 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE 2. 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC 一、晶体管内部载流子的运动 二、晶体管的电流分配关系 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 UCE IC + - UBE IB + - 实验线路 mA ?A V V RB EC EB RC 1. 输入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 导通电压： 硅管(0.7V) UBE?0.6~0.8V, 锗管(0.2V) UBE?0.1~0.3V。 开启电压： 硅管0.5V，锗管0.1V。 UCE增大，特性曲线右移；当UCE1V后，曲线基本不变化 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域(截止区) IB=0, IC=ICEO≈0, UBE 开启电压 2. 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区） UBE0 UCEUBE IC只与IB有关，IC=?IB 发射结正偏，集电结反偏。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域(饱和区) ： UCE?UBE, 集电结正偏，?IBIC， UCES?0.3V UCES 临界饱和线 发射结正偏，集电结正偏。 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 电流关系： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB 电压关系： （NPN) （PNP） (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 电流关系： ?IBIC 电压关系： （NPN) （PNP) UCES ? 0.3V 1.3.4 晶体管的主要参数 一、直流参数 二、交流参数 1. 共射直流电流放大系数β 2. 共基直流电流放大系数α 1. 共射交流电流放大系数β= =常数 2. 共基交流电流放大系数 α= =常数 通常认为： ， 三、极限参数 1. 最大集电极耗散功率PCM 3. 特征频率fT ： 使β的数值下降到1的信号频率。 2. 最大集电极集电极电流ICM 3. 极间反向击穿电压 1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 温度升高时， ICBO增大。 二、温度对输入特性的影响 三、温度对输出特性的影响 温度升高时，特性曲线上移 温度升高时，