IC版图设计-第四章.pptxVIP

第四章 电阻 电阻是集成电路设计中的一个重要组成部分，其在电路设计中的作用主要是限流和分压。对于一个完整的电路，电阻是不可或缺的。 对于集成电路芯片设计来说，电阻的版图设计这个问题就转变为“如何利用在集成电路工艺流程中硅片上已有的各种薄膜材料来实现电阻版图”。1、电阻的计算 多晶硅、金属和扩散层都可以作为制作电阻的材料，在集成电路中这些材料被制作成薄层的形式，即厚度t非常小。 对于确定的集成电路工艺，每一层薄膜材料的厚度t是常数，具体值由集成电路工艺决定，与版图设计无关。 电阻率ρ是材料的固有属性，因此对于版图设计者来说，可以控制的只有电阻的长度L和宽度W。1、电阻的计算 t R =ρL/ tW=(ρ/t)(L/W)2、方块电阻 R =(ρ/t)(L/W)= R□ (L/W) 薄层导体的电阻R 与L/W成正比，当L=W时，有R=ρ/t。 定义比例系数ρ/t 为方块电阻(用R□表示)，单位为: 欧姆/ □ 。L/W为方块数。 电阻的阻值等于方块电阻乘以方块数。 2、方块电阻 R =(ρ/t)(L/W)= R□ (L/W) 方块电阻与工艺有关，可通过查工艺手册或设计手册得到。方块数不一定是整数，可以含小数。 长和宽相等的电阻包含一个方块，其电阻值为一个方块电阻。长是宽两倍的电阻包含两个方块，其电阻值为两个方块电阻。2、方块电阻 R□表示一个正方形材料的薄层电阻,它与正方形边长的大小无关, 只与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深（即材料厚度）有关。R□=ρ/t R= R□(L/W)3、电阻的分类 电阻：无源电阻、有源电阻； 无源电阻：利用掺杂半导体材料和其他材料构成，如，多晶硅电阻、阱电阻、有源区电阻、金属电阻； 有源电阻：通过将晶体管进行适当连接和偏置，利用晶体管在不同工作区域所表现出的电阻特性，如MOS晶体管工作于线性区（三极管区），其电流-电压特性接近于线性，这时该MOS晶体管可看成是有源电阻。3、电阻的分类 有源区电阻和无源区电阻相比较，优点是占用面积较小，缺点是工作状态受电流-电压影响，不稳定。 在集成电路设计中，大部分使用无源电阻。4、多晶硅电阻多晶硅在集成电路中的主要作用：构成MOS晶体管的栅极，构成电阻，构成电容。多晶硅电阻优点：多晶硅电阻的制作方法与MOS工艺兼容；多晶硅是现成材料，不需要淀积新材料来制作电阻而产生额外费用；其长度和宽度也容易控制；因此制作多晶硅电阻最简单最方便。4、多晶硅电阻多晶硅电阻制作：用离子注入工艺对淀积的多晶硅层进行掺杂，使其方块电阻满足要求；将淀积在场区的多晶硅光刻成电阻条形状；再在多晶硅电阻条上生成氧化层，用来掩蔽源漏区注入时向电阻区的掺杂，避免方块电阻的变化。4、多晶硅电阻 多晶硅电阻的阻值由掺杂浓度和电阻形状决定。多晶硅电阻通常被制作成长条形，在两端开接触孔与金属连接。连接孔之间的长度就是多晶硅电阻的长度L。多晶硅电阻的宽度为W。4、多晶硅电阻增大电阻：（1）利用改变电阻形状（狗骨头形状）来增加多晶硅电阻的阻值。两个接触孔之间的多晶硅材料变窄，为了满足设计规则，保证接触孔可以放在电阻的内部，所以电阻两端并没有缩小。4、多晶硅电阻增大电阻：（2）增加电阻的方块数来实现。在集成电路中通常不利用又长又直的薄膜材料来制备电阻。因其在电路结构布局中很难处理，而且由于应力作用，又长又直的薄膜材料在集成电路制作过程中很容易发生翘曲，导致电阻失效。可以利用蛇形结构（折弯结构）的电阻来实现增加电阻的方块数4、多晶硅电阻蛇形结构电阻：方块数较多，电阻值较大；电阻结构呈正方形，有利于电路设计布局，减小占用面积。4、多晶硅电阻将蛇形电阻分为多个方块电阻的串联，上右图中有32个方块电阻；在电阻的拐角处，电子的流动值利用了半个拐角，因此每个拐角处的方块必须折半处理；总方块数为32-6/2=29。4、多晶硅电阻外角没有电子流过，电阻误差较大4、多晶硅电阻电阻的实际版图需要很多图层。电阻标示层：表示被该层覆盖的区域为电阻区，此区域内的多晶硅材料作为电阻来使用。高阻注入层：通过注入掩蔽达到控制多晶硅方块电阻的目的。第二层多晶硅：利用该工艺的多晶硅材料来制备电阻。第二层多晶硅与金属1接触孔：在多晶硅电阻的两端开与第一层金属相连接的接触孔，然后利用第一层金属将该电阻与其他元件相连接。5、阱电阻P阱和N阱，都是轻掺杂区，电阻率很高，方块电阻可达到10kΩ/□。可用来制作阻值较大的电阻。但精度不高，而且阱的掺杂浓度很低，经过光照后电阻的阻值变化，呈现不稳定现象。N阱CMOS芯片剖面示意图5、阱电阻最外层虚线代表N阱。由于阱电阻是低掺杂区，所以在其两端需要做重掺杂区作为阱接触，重掺杂区由有源区和N+注入构成。在重掺杂区内打上接触孔以便使阱电阻和其他电路元件相连接。绘制N阱电阻的版图时，要保证电阻图形的尺寸至少是阱深的两倍，