《感测》第七章磁电传感器分析.ppt

霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势 霍尔元件 d越小，即霍尔元件约薄，灵敏度越高 直放式（开环）电流传感器 磁平衡式（闭环）电流传感器 霍尔电压（闭环）传感器 钳形电流表 电流传感器 霍尔转速表 霍尔转速表原理 霍尔转速表原理 霍尔接近开关 某霍尔式压力计中，弹簧最大位移为±1.5mm 控制电流I=10mA，要求传感器输出电动势为±20mV 选用霍尔元件灵敏度系数KH= 1.2mV/(mA?T) 求所要求线性磁场在弹簧伸缩方向的梯度为多大 UH = KH BI B= UH / (KH I)=±20/(1.2×10)=±1.67T ΔX=±1.5mm时要求 磁场强度变化ΔB=±1.67T 因此磁场梯度为 ΔB/ΔX=±1.67T/±1.5mm=1.11T/mm 第二节 磁敏电阻 一、磁阻效应 某些半导体材料在磁场作用下，不但产生霍尔效应，而且其电阻值也随磁场变化，这种现象称之为磁阻效应。 引起电阻变化的原因有二，其一是材料的电阻率随磁场增加而增加，称为磁阻率效应；其二是在磁场作用下，通过磁敏电阻电流的路径变长，因而电极间电阻值增加，这种现象称为几何磁阻效应。 目前实用的磁阻元件主要是利用半导体的几何磁阻效应。 几何磁